[发明专利]晶体硅太阳电池及其制作方法在审
| 申请号： | 201210142825.8 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103390675A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 郭群超;柳琴;庞宏杰;王凌云;白晓宇;张愿成;张滢清 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳电池 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅太阳电池，其特征在于：包括制有PN结的晶体硅片，在制有PN结的晶体硅片的正面和背面分别沉积一层透明导电薄膜，在正面和背面的透明导电薄膜上分别电镀铜栅线电极。
2.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于：所述的透明导电薄膜的厚度为20nm-80nm；所述的铜栅线电极的宽度为30μm-60μm。
3.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于：所述的透明导电薄膜为ITO薄膜、ZnO薄膜、IWO薄膜或TiO2薄膜。
4.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、以晶体硅片作为衬底，用碱液对衬底表面进行清洗和表面织构化处理；
B、对衬底通过热扩散的方法进行磷掺杂制备PN结；
C、采用湿法或干法刻边，去掉扩散后造成的边缘短路；
D、采用氢氟酸腐蚀的方法去除磷硅玻璃；
E、采用磁控溅射或RPD的方法在制有PN结的晶体硅片的正面和背面分别沉积一层透明导电薄膜；
F、在正面和背面的透明导电薄膜上分别电镀铜栅线电极。
5.如权利要求4所述的晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤A中所述的作为衬底的晶体硅片为P型晶体硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
