[发明专利]一种用于硒化锌单晶体生长的安瓿

摘要

本发明是一种用于硒化锌单晶体生长的安瓿。以锌和硒为原料，以碘作为气相反应促进剂，在安瓿中一步完成硒化锌单晶生长。依次包括安瓿综合清洗、装料并抽真空密封、密封安瓿生长区热清洗、晶体生长与冷却等步骤。所用安瓿的基本结构是原料区易于Zn和Se单质混和，生长区是由通过安瓿中轴的截面上的两段弧相切构成的锥状体构成，不同于传统的由安瓿壁直接构成的锐角椎状体结构。本发明采用的技术方案能够生长直径为12～20mm的硒化锌单晶体的，所生长的硒化锌单晶体结构完整、均匀性好、应力小，具有成本低、工艺简单的特点，还能应用于其它II-VI族化合物半导体单晶的制备。

主权项

一种用于硒化锌单晶体生长的安瓿，采用电子级高纯石英制成，其特征在于，安瓿的生长区是由通过安瓿中轴的截面上的两段弧相切构成的锥状体，锥状体的长度为25～30mm，两段弧在中轴方向上与距离锥点9～12mm的垂线相交于两点，通过此二交点的两条切线构成的锥角θ为18～25°。