[发明专利]一种用于硒化锌单晶体生长的安瓿

权利要求书

1.一种用于硒化锌单晶体生长的安瓿，采用电子级高纯石英制成，其特征在于，安瓿的生长区是由通过安瓿中轴的截面上的两段弧相切构成的锥状体，锥状体的长度为25～30mm，两段弧在中轴方向上与距离锥点9～12mm的垂线相交于两点，通过此二交点的两条切线构成的锥角θ为18～25°。

2.如权利要求1所述一种用于硒化锌单晶体生长的安瓿，其特征在于，安瓿管内径根据生长晶体的直径确定，生长晶体所用的安瓿长度为10～15cm；安瓿的基本结构是在原料区Zn和Se单质易于混和的结构。

3.如权利要求1所述一种用于硒化锌单晶体生长的安瓿，其特征在于，当所述的安瓿用于水平方式生长晶体时，在安瓿原料区安装有一圆环形石英挡板；该挡板垂直于安瓿壁，与安瓿底部形成容纳原料的容器。