[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210121114.2 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103378150A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述器件包括：半导体衬底；栅极结构，位于所述半导体衬底上；第一侧墙，位于所述栅极结构的侧壁上，所述第一侧墙的高度低于所述栅极结构的高度；第二侧墙，所述第二侧墙位于栅极结构的侧壁，并位于所述第一侧墙上；所述第二侧墙的底面宽度大于所述第一侧墙的顶面宽度。通过在栅极结构的侧壁上依次形成第一侧墙和第二侧墙，所述第二侧墙的底面宽度大于所述第一侧墙的顶面宽度，呈屋檐型结构，从而在后续进行金属硅化工艺的过程中，使金属材料在第一侧墙和第二侧墙上形成间隔沉积，从而有效避免金属材质的扩散导致栅极结构和半导体衬底中的源漏区导通的问题，提高半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；栅极结构，位于所述半导体衬底上；第一侧墙，位于所述栅极结构的侧壁上，所述第一侧墙的高度低于所述栅极结构的高度；第二侧墙，所述第二侧墙位于栅极结构的侧壁，并位于所述第一侧墙上，所述第二侧墙的底面宽度大于所述第一侧墙的顶面宽度。
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