[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

栅极结构，位于所述半导体衬底上；

第一侧墙，位于所述栅极结构的侧壁上，所述第一侧墙的高度低于所述栅极结构的高度；

第二侧墙，所述第二侧墙位于栅极结构的侧壁，并位于所述第一侧墙上，所述第二侧墙的底面宽度大于所述第一侧墙的顶面宽度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧墙的材质为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或无定型碳中的一种或其组合，所述第二侧墙的材质为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或无定型碳中的一种或其组合。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧墙的材质为氧化硅，所述第二侧墙的材质为氮化硅。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧墙与所述栅极结构的高度差为5nm～200nm。

5.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第二侧墙的高度为5nm～200nm。

6.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第二侧墙的底面宽度为5nm～50nm，所述第一侧墙的顶面宽度为4nm～40nm。

7.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构；

在所述半导体衬底上覆盖第一侧墙薄膜，并对所述第一侧墙薄膜进行化学机械研磨工艺和回刻蚀工艺，使所述第一侧墙薄膜的高度低于所述栅极结构的高度；

在所述第一侧墙薄膜和所述栅极结构上覆盖第二侧墙薄膜；

刻蚀所述第二侧墙薄膜，以在所述栅极结构侧壁上形成第二侧墙；

以所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述第一侧墙薄膜，以在所述栅极结构侧壁上形成第一侧墙；

对所述第一侧墙进行回拉工艺，使所述第二侧墙的底面宽度大于所述第一侧墙的顶面宽度。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述第一侧墙进行回拉工艺的步骤之后，还包括：进行金属硅化工艺。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属硅化工艺包括：

在所述半导体衬底上沉积金属材质，所述金属材质在所述第一侧墙和所述第二侧墙上形成间断沉积；

进行高温退火工艺。

10.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙的材质为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或无定型碳中的一种或其组合，所述第二侧墙的材质为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或无定型碳中的一种或其组合。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙的材质为氧化硅，所述第二侧墙的材质为氮化硅。

12.如权利要求7至11中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙与所述栅极结构的高度差为5nm～200nm。

13.如权利要求7至11中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二侧墙的高度为5nm～200nm。

14.如权利要求7至11中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述第一侧墙进行回拉工艺的步骤之后，所述第二侧墙的底面宽度为5nm～50nm，所述第一侧墙的顶面宽度为4nm～40nm。