[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法，涉及半导体芯片制造领域，提高了器件元胞密度，降低了制造成本。该制造方法包括：对氮化硅层、垫氧层以及形成有第一高掺杂区、第一掺杂体区的外延层进行光刻及刻蚀处理，刻穿所述第一高掺杂区，露出所述第一掺杂体区，并在刻蚀区域底部形成第二掺杂区；在第二掺杂区上方的侧壁上形成介质层；对第二掺杂区进行刻蚀处理，刻穿第一掺杂体区，露出外延层，并在刻蚀区域的底部和侧壁形成第一氧化层，在内部填充多晶硅层；在多晶硅层顶部形成第二氧化层；去除氮化硅层、垫氧层及介质层后，形成第一金属层，并进行光刻、刻蚀处理。本发明实施例用于半导体芯片制造。

主权项

一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，包括：对氮化硅层、垫氧层以及形成有第一高掺杂区、第一掺杂体区的外延层进行光刻及刻蚀处理，刻穿所述第一高掺杂区，露出所述第一掺杂体区，并在刻蚀区域底部形成第二掺杂区；在所述第二掺杂区上方的侧壁上形成介质层；对所述第二掺杂区进行刻蚀处理，刻穿所述第一掺杂体区，露出所述外延层，并在刻蚀区域的底部和侧壁形成第一氧化层，在内部填充多晶硅层；在所述多晶硅层顶部形成第二氧化层；去除所述氮化硅层、垫氧层及介质层，在所述第一高掺杂区、第二掺杂区和第二氧化层上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行光刻、刻蚀处理。