[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

对氮化硅层、垫氧层以及形成有第一高掺杂区、第一掺杂体区的外延层进行光刻及刻蚀处理，刻穿所述第一高掺杂区，露出所述第一掺杂体区，并在刻蚀区域底部形成第二掺杂区；

在所述第二掺杂区上方的侧壁上形成介质层；

对所述第二掺杂区进行刻蚀处理，刻穿所述第一掺杂体区，露出所述外延层，并在刻蚀区域的底部和侧壁形成第一氧化层，在内部填充多晶硅层；

在所述多晶硅层顶部形成第二氧化层；

去除所述氮化硅层、垫氧层及介质层，在所述第一高掺杂区、第二掺杂区和第二氧化层上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行光刻、刻蚀处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对氮化硅层、垫氧层以及形成有第一高掺杂区、第一掺杂体区的外延层进行光刻及刻蚀处理，刻穿所述第一高掺杂区，露出所述第一掺杂体区，并在刻蚀区域底部形成第二掺杂区包括：

在衬底上的外延层上形成垫氧层以及氮化硅层；

向所述外延层注入第一杂质形成第一掺杂体区，之后在所述第一掺杂体区上形成第一高掺杂区；

对所述垫氧层以及所述氮化硅层进行光刻及第一次刻蚀处理，刻穿所述第一高掺杂区，露出所述第一掺杂体区；

向所述氮化硅层及所述第一次刻蚀处理得到的第一刻蚀区域注入第二杂质，在所述第一刻蚀区域底部形成第二掺杂区。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第二掺杂区上方的侧壁上形成介质层包括：

在所述氮化硅层及所述第二掺杂区上，形成介质层；

对所述介质层进行第二次刻蚀处理，只保留所述第一刻蚀区域中的所述第二掺杂区上方侧壁的介质层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述第二掺杂区进行刻蚀处理，刻穿所述第一掺杂体区，露出所述外延层，并在刻蚀区域的底部和侧壁形成第一氧化层，在内部填充多晶硅层包括：

对所述第二掺杂区进行第三次刻蚀处理，刻穿所述第一掺杂体区，露出所述外延层；

对所述第三次刻蚀处理得到的第三刻蚀区域进行氧化处理，形成第一氧化层；

在所述氮化硅层及所述第三刻蚀区域上形成多晶硅层；

对多晶硅层进行第四次刻蚀处理，只保留所述第三刻蚀区域中所述第一氧化层内的多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述多晶硅层顶部形成第二氧化层包括：

对所述多晶硅层进行氧化处理，在所述多晶硅层顶部形成第二氧化层。

6.根据权利要求1所述方法，其特征在于，在所述衬底相对所述第一金属层的另一侧，还形成有第二金属层。

7.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述第一氧化层为所述第三次刻蚀处理后露出的所述外延层、所述第一掺杂体区和所述第二掺杂区经过氧化后形成的。

8.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述去除氮化硅层、垫氧层时采用湿法腐蚀，用磷酸去除氮化硅，氢氟酸去除垫氧。

9.一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

在所述衬底上形成有外延层；

在所述外延层上形成有第一掺杂体区；

在所述第一掺杂体区上形成有第一高掺杂区；

其特征在于，

在所述外延层和所述第一掺杂体区中形成有被氧化层包裹的栅极；

在所述第一掺杂体区中，所述栅极两侧形成有第二掺杂区；

在所述第一高掺杂区、所述第二掺杂区、所述栅极顶端的第二氧化层上形成有第一金属层。

10.根据权利要求9所述的垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，在所述衬底的相对所述第一金属层的另一侧，还形成有第二金属层。