[发明专利]脉冲激光沉积制备四氧化三钴薄膜电极材料的方法及其应用

摘要

本发明涉及一种脉冲激光沉积制备Co3O4薄膜电极材料的方法及其应用。在约30Pa的氧气气氛中利用脉冲激光烧蚀纯度大于等于99.9%金属钴靶材，在Mo基片上溅射沉积制备Co3O4薄膜电极材料，基片温度为250℃。此法制得的Co3O4薄膜电化学性能测试结果表明此电极材料具有良好的倍率特性和循环性能，可用于超级电容器电极材料，具有较好的应用前景。

主权项

一种脉冲激光沉积制备Co3O4薄膜电极材料的方法，其特征在于具体步骤如下：（1）将纯度大于等于99.9% 的钴靶材和清洗后的Mo基片置于真空室中，调节钴靶材与Mo基片距离为2.5－3.5cm，利用机械泵和涡轮分子泵将真空室抽真空至10‑4 Pa；通入压力为28－32Pa的高纯氧气，再将Mo基片加热到250℃；（2）开启Nd:YAG脉冲激光器，将激光通过透镜聚焦到钴靶材上，沉积时间为55－65min，得到均匀Co3O4薄膜，其中：Nd:YAG脉冲激光器激光重复频率为10Hz，波长为1064nm；（3）关闭涡轮分子泵、机械泵及Nd:YAG脉冲激光器，待Mo基片温度降至室温时打开真空室，取出Mo基片，进行表征和电化学性能测试。