[发明专利]高方阻太阳能电池制作方法

摘要

本发明涉及一种高方阻太阳能电池制作方法，特点是包括以下步骤：首先，通过预扩散处理，在硅片表面制作发射结。接着，利用湿法刻蚀或是等离子刻蚀设备去除硅片边结，采用RCA溶液对硅片进行清洗。之后，将硅片置入扩散炉中处理，令结深增加，在硅片表面形成二氧化硅层。然后，通过PECVD设备在发射结表面的二氧化硅层上制作氮化硅膜。最后，通过利用丝网印刷设备制备正面电极、背面电极、背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。由此，利用二次高温推进发射结工序制作高方阻太阳电池，结表面掺杂浓度降低。同时在硅片表面形成适当的二氧化硅膜，该膜层与随后制作的氮化硅膜形成堆叠层，提高电池表面钝化性能。

主权项

高方阻太阳能电池制作方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，通过预扩散处理，在硅片表面制作35‑65Ω/sqr发射结，结深0.2‑0.4μm；步骤②，利用湿法刻蚀或是等离子刻蚀设备去除硅片边结，采用RCA溶液对硅片进行清洗；步骤③，将硅片置入扩散炉中处理，令结深增加到0.25‑0.5μm，在硅片表面形成5‑20nm二氧化硅层；步骤④，通过PECVD设备在发射结表面的二氧化硅层上制作氮化硅膜，所述的氮化硅膜厚度为50‑80um，折射率为2.0‑2.1；步骤⑤，通过利用丝网印刷设备制备正面电极、背面电极、背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。