[发明专利]高方阻太阳能电池制作方法有效
| 申请号： | 201210110916.3 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102629643A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 钱峰;陆俊宇;任军林;汪燕玲;魏青竹 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215542 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高方阻 太阳能电池 制作方法 | ||
1.高方阻太阳能电池制作方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤①，通过预扩散处理，在硅片表面制作35-65Ω/sqr发射结，结深0.2-0.4μm；
步骤②，利用湿法刻蚀或是等离子刻蚀设备去除硅片边结，采用RCA溶液对硅片进行清洗；
步骤③，将硅片置入扩散炉中处理，令结深增加到0.25-0.5μm，在硅片表面形成5-20nm二氧化硅层；
步骤④，通过PECVD设备在发射结表面的二氧化硅层上制作氮化硅膜，所述的氮化硅膜厚度为50-80um，折射率为2.0-2.1；
步骤⑤，通过利用丝网印刷设备制备正面电极、背面电极、背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。
2.根据权利要求1所述的高方阻太阳能电池制作方法，其特征在于：步骤①所述预扩散处理过程为将硅片置入扩散炉中，保持温度为800-900℃，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体，处理时间为10-20分钟，在硅片表面形成发射结。
3.根据权利要求1所述的高方阻太阳能电池制作方法，其特征在于：步骤②中采用等离子刻蚀设备需在RCA溶液清洗前进行1-10％氢氟酸溶液清洗。
4.根据权利要求1所述的高方阻太阳能电池制作方法，其特征在于：步骤③中，将硅片置入扩散炉中，保持温度800-900℃，在氮气、氧气混合气氛中继续热处理10-20分钟，将方块电阻值提高到60-100Ω/sqr，并在硅片表面形成5-20nm二氧化硅钝化层。
5.根据权利要求1所述的高方阻太阳能电池制作方法，其特征在于：步骤①之前，通过硝酸、氢氟酸混合液或是氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
