[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210105903.7 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103378162A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张惠喻;游明璋;邱家庆;韩西容 | 申请（专利权）人： | 东莞万士达液晶显示器有限公司;胜华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 523119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法，其中薄膜晶体管包括一栅极、一氧化物通道层、一栅绝缘层、一源极、一漏极以及一介电层。栅极配置在一基板上。配置在基板上的氧化物通道层，与栅极彼此上下堆叠，其中氧化物通道层的材质包括一金属元素，且金属元素的含量沿氧化物通道层的厚度方向呈现梯度分布。栅绝缘层配置在栅极与该氧化物通道层之间。源极与漏极彼此平行配置，且连接于氧化物通道层。介电层覆盖源极及漏极远离基板的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：一栅极，配置在一基板上；一氧化物通道层，配置在该基板上，且该栅极与该氧化物通道层彼此上下堆叠，其中该氧化物通道层的材质包括一金属元素，且该金属元素的含量沿该氧化物通道层的厚度方向呈现梯度分布；一栅绝缘层，配置在该栅极与该氧化物通道层之间；一源极；一漏极，该源极与该漏极彼此平行配置，且连接于该氧化物通道层；以及一介电层，覆盖该源极及该漏极远离该基板的一侧。
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