[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

一栅极，配置在一基板上；

一氧化物通道层，配置在该基板上，且该栅极与该氧化物通道层彼此上下堆叠，其中该氧化物通道层的材质包括一金属元素，且该金属元素的含量沿该氧化物通道层的厚度方向呈现梯度分布；

一栅绝缘层，配置在该栅极与该氧化物通道层之间；

一源极；

一漏极，该源极与该漏极彼此平行配置，且连接于该氧化物通道层；以及

一介电层，覆盖该源极及该漏极远离该基板的一侧。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该氧化物通道层具有一第一区域以及一第二区域，该第一区域的该金属元素的含量大于该第二区域的该金属元素的含量且该第一区域与该第二区域沿该厚度方向排列，且该第一区域相对于该第二区域更邻近于该栅极，而该金属元素的含量由该第一区域至该第二区域逐渐减少。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该氧化物通道层具有一第一区域以及一第二区域，该第一区域的该金属元素的含量大于该第二区域的该金属元素的含量且该第一区域与该第二区域沿该厚度方向排列，且该第一区域相对于该第二区域更邻近于该源极以及该漏极，而该金属元素的含量由该第一区域至该第二区域逐渐减少。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该栅极位于该氧化物通道层与该基板之间。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，还包括一蚀刻阻挡层位于该氧化物通道层接触在该源极及该漏极的一侧。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中该源极及该漏极位于该氧化物通道层与该栅极之间。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该氧化物通道层位于该基板与该栅极之间，且该薄膜晶体管还包括一绝缘层位于该栅极远离该栅绝缘层的一侧，且该绝缘层具有一第一贯孔以及一第二贯孔，其中该第一贯孔以及该第二贯孔分别贯穿该绝缘层以及该栅绝缘层，并暴露出部分该氧化物通道层，且该源极以及该漏极分别通过该第一贯孔以及该第二贯孔连接该氧化物通道层。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该金属元素包括铟、锌、镉或锡。

9.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在一基板上形成一栅极；

在该基板上形成至少一第一氧化物半导体层以及至少一第二氧化物半导体层，其中各该第一氧化物半导体层以及各该第二氧化物半导体层交替排列，以构成一氧化物通道层，该氧化物通道层配置在该基板上，且该栅极与该氧化物通道层彼此上下堆叠，其中该氧化物通道层的材质包括一金属元素，且该金属元素的含量沿该氧化物通道层的厚度方向呈现梯度分布；

在该栅极与该氧化物通道层之间形成一栅绝缘层；

形成一源极以及一漏极，其中该源极与该漏极彼此平行配置，且连接在该氧化物通道层；以及

形成一介电层以覆盖该源极及该漏极远离该基板的一侧。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其中形成各该第一氧化物半导体层的方法包括：

进行一低温成膜工艺，其中该低温成膜工艺的温度范围为摄氏20度至150度。

11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其中在各该第一氧化物半导体层中该金属元素为一第一含量而在各该第二氧化物半导体层中该金属元素为一第二含量，且该第一含量不同于该第二含量。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制作方法，还包括进行一热退火工艺，使该金属元素由各该第一氧化物半导体层扩散到各该第二氧化物半导体层，而呈现渐变的梯度分布，以构成该氧化物通道层。