[发明专利]发光器件、包括其的发光器件封装件以及照明系统

摘要

一种发光器件，包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构，其中第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层设置为彼此相邻，有源层包括交替堆叠至少一次的阱层和势垒层，阱层的能带隙小于势垒层的能带隙；至少设置在第二导电型半导体层的预定区域上的多重接触层，多重接触层包括至少一个由第一层和第二层构成的对结构，第一层包括掺杂有掺杂剂的InGaN，第二层包括掺杂有不同掺杂剂的GaN；以及分别向第一导电型半导体层和第二导电型半导体层提供电流的第一电极和第二电极，其中第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层、多重接触层以及第一电极和第二电极设置为具有相同的方向性。

主权项

一种发光器件，包括：包括掺杂有第一导电型掺杂剂的第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的掺杂有第二导电型掺杂剂的第二导电型半导体层的发光结构，其中所述第一导电型半导体层、所述有源层和所述第二导电型半导体层设置为彼此相邻，所述有源层包括交替堆叠至少一次的阱层和势垒层，并且所述阱层的能带隙小于所述势垒层的能带隙；直接地设置至少在所述第二导电型半导体层的预定区域上的多重接触层，所述多重接触层包括至少一个由第一层和第二层构成的对结构，所述第一层包括掺杂有第一掺杂剂的InGaN，所述第二层包括掺杂有第二掺杂剂的GaN，其中所述第一掺杂剂和第二掺杂剂中的每一种为所述第一导电型掺杂剂；以及分别向所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层提供电流的第一电极和第二电极；其中所述第一导电型掺杂剂为n型掺杂剂以及所述第二导电型掺杂剂为p型掺杂剂，以及所述第二导电型半导体层和所述多重接触层掺杂有相反导电类型的掺杂剂并且在所述第二导电型半导体层和所述多重接触层之间形成有p‑n结。