[发明专利]发光器件、包括其的发光器件封装件以及照明系统

说明书

相关申请的交叉引用

本申请按照35U.S.C.§119要求2011年6月9日提交的韩国专利申请10-2011-0055646的优先权，通过引用将其全部主题内容如在本文中完全阐述的那样并入本文。

技术领域

实施方案涉及一种发光器件、一种包括该发光器件的发光器件封装件以及一种照明系统。

背景技术

由于薄膜生长技术和器件材料的发展，发光器件如使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料的发光二极管和激光二极管可以实现红光、绿光、蓝光、各种颜色光和紫外光，并且可以通过荧光材料或混色来高效率地实现白光。与传统光源如荧光灯和白炽灯相比，这种发光器件具有以下几个优点：能耗低、半永久性使用、快速响应速度、安全和环境友好。

因此，这些发光器件增加地不仅应用于显示器件而且应用于光通信装置的传输模块、替代构成液晶显示器(LCD)的背光源的冷阴极荧光灯的发光二极管背光灯、替代荧光灯或白炽灯的白色发光二极管照明装置、车辆的前灯和街灯。

发明内容

因此，实施方案可以提供一种发光器件、一种包括该发光器件的发光器件封装件以及一种照明系统。

在一个实施方案中，发光器件包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构；至少设置在第二导电型半导体层的预定区域上的多重接触层，该多重接触层包括至少一个由第一层和第二层构成的对结构，第一层包括掺杂有掺杂剂的InGaN，第二层包括掺杂有不同掺杂剂的GaN；以及分别向第一导电型半导体层和第二导电型半导体层提供电流的第一电极和第二电极。

在另一实施方案中，发光器件包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构；至少设置在第二导电型半导体层的预定区域上的多重接触层，该多重接触层包括至少一个由第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层构成的对结构，第一氮化物半导体层掺杂有掺杂剂，第二氮化物半导体层掺杂有掺杂剂；以及分别向第一导电型半导体层和第二导电型半导体层提供电流的第一电极和第二电极。

在一个实施方案中，发光器件封装件包括：封装件本体；设置在封装件本体上的第一引线框和第二引线框；以及设置在封装件本体上同时与第一引线框和第二引线框电连接的发光器件，该发光器件包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构；至少设置在第二导电型半导体层的预定区域上的多重接触层，该多重接触层包括至少一个由第一层和第二层构成的对结构，第一层包括掺杂有掺杂剂的InGaN，第二层包括掺杂有不同掺杂剂的GaN。

根据实施方案，可以提高发光器件的可靠性。

在另一实施方案中，照明系统包括：包括设置在衬底上的多个发光器件封装件以发光的光源；在其中具有所述光源的壳；辐射光源的热的辐射部；以及将光源和辐射部耦接至壳的保持件。

附图说明

可以参照以下附图对布置和实施方案进行详细描述，在附图中，相同的附图标记表示相同的元件，在附图中：

图1是示出根据一个实施方案的发光器件的截面视图；

图2a至图2e是示出制造根据实施方案的发光器件的方法的图；

图3是示出根据一个实施方案的多重接触层的能带图的图；

图4至图6是示出实施方案的效果的图；

图7是示出根据一个实施方案的发光器件封装件的截面视图；

图8a至图8e是示出根据一个实施方案制造根据另一实施方案的发光器件的方法的图；

图9是示出根据又一实施方案的发光器件的图；

图10是示出根据又一实施方案的发光器件的图；

图11是示出根据又一实施方案的发光器件的图；

图12是示出根据又一实施方案的发光器件的图；

图13是示出根据一个实施方案的其中设置有根据实施方案的发光器件封装件的照明系统的图；

图14是示出根据一个实施方案的其中设置有根据实施方案的发光器件封装件的前灯的图；以及

图15是示出根据一个实施方案的其中设置有根据实施方案的发光器件封装件的显示器件的图。

具体实施方式

以下，将参照附图对实施方案进行描述。

应理解，在元件称为在另一元件“上”或“下”时，其可以直接地在元件上/下，也可以存在一个或更多个中间元件。在元件称为“上”或“下”，基于该元件可包括“在元件下”和“在元件上”。

可以放大、省略或示意地示出附图中示出的各个层的厚度或尺寸。附图中示出的各个元件的尺寸可以不完全反映其实际尺寸。