[发明专利]发光器件、包括其的发光器件封装件以及照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构，其中所述第一导电型半导体层、所述有源层和所述第二导电型半导体层设置为彼此相邻，所述有源层包括交替堆叠至少一次的阱层和势垒层，并且所述阱层的能带隙小于所述势垒层的能带隙；

至少设置在所述第二导电型半导体层的预定区域上的多重接触层，所述多重接触层包括至少一个由第一层和第二层构成的对结构，所述第一层包括掺杂有掺杂剂的InGaN，所述第二层包括掺杂有不同掺杂剂的GaN；以及

分别向所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层提供电流的第一电极和第二电极；

其中所述第一导电型半导体层、所述有源层、所述第二导电型半导体层、所述多重接触层以及所述第一电极和所述第二电极设置为具有相同的方向性。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述掺杂剂是包括Si、Ge、Sn、Se或Te的第一导电型掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述掺杂剂是包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的第二导电型掺杂剂。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一层或所述第二层的掺杂水平是10¹⁸/cm²至10¹⁹/cm²。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一层中包括的In的浓度水平在2％至8％的范围内。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述多重接触层的厚度在至的范围内。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一层或所述第二层的厚度在至的范围内。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述多重接触层包括：由掺杂有Si的InGaN构成的第一层、由掺杂有Si的GaN构成的第二层、由掺杂有Si的InGaN构成的第三层以及由掺杂有Si的InGaN构成的第四层。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，还包括：

设置在所述多重接触层上的透明电极层。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第二导电型半导体层的表面上设置有不平坦结构。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，还包括：

至少其预定区域与所述第二电极交叠的电流阻挡层。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述发光结构形成在衬底上，并且在所述衬底的与所述发光结构相邻的表面上设置有光提取结构。

13.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述透明电极层的顶表面包括不平坦结构。

14.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第二电极是导电支撑衬底。

15.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，还包括：

设置在所述发光结构周围的钝化层，所述钝化层由绝缘材料形成。

16.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述透明电极层的厚度在60nm至170nm的范围内。

17.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极的宽度各自在50μm至150μm的范围内。

18.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极的厚度各自在1000nm至1500nm的范围内。

19.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述发光器件的总高度在100μm至200μm的范围内。

20.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述发光器件的总高度在100μm至300μm的范围内。

21.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述发光结构的厚度在8.5μm至9.0μm的范围内。