[发明专利]酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置和方法无效
| 申请号： | 201210100414.2 | 申请日： | 2012-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN103367229A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;赵超;崔虎山;卢一泓 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置和方法，用于浅沟槽隔离工艺，所述补水装置包括相互连接的化学槽、补水管、以及安装于补水管进水口且与控制系统相连的控制阀，补水管铺设于化学槽底部，在补水管上开设多个小孔，控制阀对补水管进行定时定量控制。其中化学槽底部包括支架，补水管卧在支架中。化学槽底部为四方形或圆形；补水管在化学槽底部呈回形、或环形铺满并均匀分布。本发明可定时定量、均匀地从化学槽底部补水，避免了人工补水装置的不确定性和危险，满足了H3PO4腐蚀去除氮化硅工艺的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 酸腐 去除 氮化 工艺 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置，用于浅沟槽隔离工艺，所述补水装置包括相互连接的化学槽、补水管、以及安装于补水管进水口且与控制系统相连的控制阀，其特征是：所述补水管铺设于所述化学槽底部，在所述补水管上开设多个小孔，所述控制阀对所述补水管进行定时定量控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210100414.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
