[发明专利]酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置和方法无效
申请号: | 201210100414.2 | 申请日: | 2012-04-07 |
公开(公告)号: | CN103367229A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 杨涛;赵超;崔虎山;卢一泓 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/67 |
代理公司: | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 酸腐 去除 氮化 工艺 装置 方法 | ||
1.一种酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置,用于浅沟槽隔离工艺,所述补水装置包括相互连接的化学槽、补水管、以及安装于补水管进水口且与控制系统相连的控制阀,其特征是:所述补水管铺设于所述化学槽底部,在所述补水管上开设多个小孔,所述控制阀对所述补水管进行定时定量控制。
2.如权利要求1所述的补水装置,其特征是:所述化学槽底部包括支架,所述补水管卧在所述支架中。
3.如权利要求1或2所述的补水装置,其特征是:所述化学槽底部为四方形或圆形;所述补水管在所述化学槽底部呈回形、或环形铺满并均匀分布。
4.如权利要求1或2所述的补水装置,其特征是:所述化学槽为盛放酸液的石英缸,所述补水管为可承受高温耐强酸腐蚀的材料。
5.如权利要求4所述的补水装置,其特征是:所述补水管是PFA材质,或是石英材质。
6.如权利要求1或2所述的补水装置,其特征是:所述小孔每隔一段固定间距开设。
7.如权利要求6所述的补水装置,其特征是:所述补水管管径为6mm,所开小孔的直径为1mm,孔与孔的固定间距为30mm。
8.一种酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置的补水方法,用于浅沟槽隔离工艺,所述补水装置包括相互连接的化学槽、补水管、以及安装于补水管进水口且与控制系统相连的控制阀,其特征是:所述补水方法通过铺设于所述化学槽底部的补水管由下而上进行补水,在所述补水管上开设多个小孔,由所述控制阀对所述补水管进行定时定量控制。
9.如权利要求8所述的补水方法,其特征是:在所述化学槽底部安装支架,并将所述补水管卧在所述支架中以免所述补水管在高温下因变形而移动。
10.如权利要求8或9所述的补水方法,其特征是:所述补水管上的多个小孔为均匀间隔开设。
11.如权利要求10所述的补水方法,其特征是:所述补水管管径为6mm,所开小孔的直径为1mm,孔与孔的固定间距为30mm。
12.如权利要求8或9所述的补水方法,其特征是:所述补水管在所述化学槽底部呈回形、或环形铺满并均匀分布。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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