[发明专利]一种基于垂直磁化自由层的磁性多层膜及磁性传感器无效
申请号: | 201210094191.3 | 申请日: | 2012-04-01 |
公开(公告)号: | CN102623018A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 曾中明;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;G11B5/39 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于垂直磁化自由层的磁性多层膜及磁性传感器。该磁性多层膜包括:具有面内平衡磁化状态的第一磁性层;形成于第一磁性层之上的非磁性隔离层;以及,形成于非磁性隔离层之上的具有垂直磁化的自由层。该磁性传感器包含有该磁性多层膜。藉由前述结构,本发明磁性多层膜中两个磁性层的磁化方向呈90°,在制成磁传感器时具有尺寸小、分辨率高以及结构简单等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 垂直 磁化 自由 磁性 多层 传感器 | ||
【主权项】:
一种基于垂直磁化自由层的磁性多层膜,其特征在于,它包括:具有面内平衡磁化状态的第一磁性层(L1); 形成于第一磁性层(L1)之上的非磁性隔离层(SL) ;以及,形成于非磁性隔离层(SL)之上的具有垂直磁化的磁性自由层 (L2)。
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- 鸿井克彦 - 株式会社东芝
- 2014-09-04 - 2015-11-04 - G11B5/31
- 本发明的实施方式提供一种磁记录头及磁记录装置,其降低驱动电流且提高了自旋转矩振荡器的长期可靠性。实施方式的磁记录头具备:主磁极,其具有主磁极顶端部,并将记录磁场施加于磁记录介质;振荡层,其配置在主磁极的后侧;第1自旋注入层,其配置在主磁极的前侧;以及中间层,其将振荡层与第1自旋注入层电连接。
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