[发明专利]一种多比特SONOS闪存单元、阵列及操作方法

摘要

本发明公开了一种多比特SONOS闪存单元，P型半导体衬底，其具有深N阱；在深N阱中形成的第一P型注入区和第二P型注入区，所述第一P型注入区和第二P型注入区构成源极区和漏极区；位于所述第一P阱和第二P型注入区之间的衬底上方的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的多晶硅层，其中，所述多晶硅层构成控制栅极，所述栅介质层为ONO结构，自下而上依次包括第一氧化层、氮化层、第二氧化层，所述ONO结构的氮化层中包括第一和第二存储位。本发明还提供了一种多比特SONOS闪存阵列以及一种多比特SONOS闪存阵列的操作方法。

主权项

一种多比特SONOS闪存阵列，其特征在于，由多个多比特SONON存储单元按照虚拟接地阵列排列而成；所述多比特SONOS闪存单元，包括：P型半导体衬底，其具有深N阱；在深N阱中形成的第一P型注入区和第二P型注入区，所述第一P型注入区和第二P型注入区构成源极区和漏极区；位于所述第一P型注入区和第二P型注入区之间的衬底上方的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的多晶硅层，其中，所述多晶硅层构成控制栅极，所述栅介质层为ONO结构，自下而上依次包括第一氧化层、氮化层、第二氧化层，所述ONO结构的氮化层中包括第一存储位和第二存储位；所述第一P型注入区和第二P型注入区分别连接第一位线和第二位线，所述控制栅极连接控制线；所述多比特SONOS闪存阵列沿纵向排列的闪存单元串联且共用源极区和漏极区，同一列中的源极和漏极中的一极共同连接到同一位线，且相邻两列闪存单元中的两根位线中的一根位线是共用的，同一排中相邻闪存单元的一个源极和一个漏极共同连接到同一位线。