[发明专利]发光二极管阵列

摘要

本发明提供了一种发光二极管阵列，包括：一基板，其上设置有由多个发光二极管芯片依序排列所形成的阵列、一介电层、一插栓与一导电连接层。在一实施例中，每一发光二极管芯片均与位在其相邻列的其它发光二极管以一沟渠加以区隔。而介电层覆盖每一沟渠裸露的基板表面以及沟渠两侧的上述发光二极管芯片的侧壁及部分表面。上述插栓填充在沟渠中且位于上述介电层之上而受其环绕。而上述导电连接层位在该插栓和该介电层上，使得每一上述发光二极管分别与一位在其相邻列的其它上述发光二极管连接。

主权项

一种发光二极管阵列，包括：一基板，其上设置有由多个发光二极管芯片依序排列所形成的阵列，其中该每一发光二极管芯片均与位在其相邻列的其它发光二极管以一沟渠加以区隔，且每一该等发光二极管芯片均包括︰一缓冲层；一第一型半导体，形成在该缓冲层上，且该第一型半导体包括有一较高的第二平台区域与一较低的第一平台区域；一主动层形成在该第二平台区域；一第二型半导体，形成在该主动层上；一第一型电极，形成在该第一平台区域；以及一第二型电极，形成在该第二型半导体上；一介电层，覆盖每一沟渠所裸露的该基板表面以及沟渠两侧的该发光二极管芯片列的侧壁及部分该第一型半导体层和部分该第二型半导体层的表面，并且露出该第一型电极和该第二型电极；一插栓，填充在该沟渠中且位于该介电层上而受其环绕，其中该插栓由反射性物质构成；以及一导电连接层，位在该插栓和该介电层上，使得每一该等发光二极管的该第一型电极分别与一位在其相邻列的其它该发光二极管的该第二型电极连接，其中该导电连接层位于该沟渠外，且直接接触该插栓。