[发明专利]发光二极管阵列

权利要求书

1.一种发光二极管阵列，包括：

一基板，其上设置有由多个发光二极管芯片依序排列所形成的阵列，其中该每一发光二极管芯片均与位在其相邻列的其它发光二极管以一沟渠加以区隔，且每一该等发光二极管芯片均包括：

一缓冲层；

一第一型半导体，形成在该缓冲层上，且该第一型半导体包括有一较高的第二平台区域与一较低的第一平台区域；

一主动层形成在该第二平台区域；

一第二型半导体，形成在该主动层上；

一第一型电极，形成在该第一平台区域；以及

一第二型电极，形成在该第二型半导体上；

一介电层，覆盖每一沟渠所裸露的该基板表面以及沟渠两侧的该发光二极管芯片列的侧壁及部分该第一型半导体层和部分该第二型半导体层的表面，并且露出该第一型电极和该第二型电极；

一插栓，填充在该沟渠中且位于该介电层上而受其环绕；以及

一导电连接层，位在该插栓和该介电层上，使得每一该等发光二极管的该第一型电极分别与一位在其相邻列的其它该发光二极管的该第二型电极连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中该插栓由反射性物质填充在部分或全部该沟渠内空间所构成。

3.根据权利要求2所述的发光二极管阵列，其中该插栓对于该主动层所发出的光线具有高于80％的反射率。

4.根据权利要求3所述的发光二极管阵列，其中该插栓包括选自于铝、银、钛、铂、铑、钯、铱、硅及锌所构成材料群组中的至少一种材料。

5.根据权利要求4所述的发光二极管阵列，其中该介电层包括选自于二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及氧化铝所构成材料群组中的至少一种材料。

6.根据权利要求5所述的发光二极管阵列，其中该导电连接层包括金、银、镍、铂或其合金。

7.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中该第一型半导体和该第二型半导体均为含镓的氮化物。

8.根据权利要求7所述的发光二极管阵列，其中该缓冲层是选自氮化镓、氮化铝、铟化铝、氮化镓铝、氮化镓铟、氮化铟铝及氮化镓铟铝所构成材料群组中的至少一种材料。

9.根据权利要求8所述的发光二极管阵列，其中该主动层为含镓的氮化物。

10.根据权利要求9所述的发光二极管阵列，其中该主动层内还包括多层量子阱结构层。

11.根据权利要求1-10任一所述的发光二极管阵列，其中该第一型为P型而该第二型为N型，或该第一型为N型而该第二型为P型。

12.根据权利要求11所述的发光二极管阵列，其中该基板为蓝宝石基板或含硅基板。