[发明专利]发光二极管阵列

说明书

技术领域

本发明关于一种发光装置，且特别是关于一种发光二极管阵列。

背景技术

发光二极管(light emitting diodes，LEDs)已应用在多种发光应用中，并可提供横跨可见光波长、紫外光波长及/或红外光波长的出射光。上述发光应用包括了显示器(displays)、打印机(printers)、及通信(communications)等。发光二极管的一类为如GaN-发光二极管(GaN LED)的III-V族化合物半导体组件。

然而，在上述发光应用中通常需使用较多数量的发光二极管以提供足够亮度(brightness)。然而，由于此些发光二极管在发光应用中可能同时地进行操作。因此，便需要在相邻发光二极管之间提供适当的光阻绝特性，以避免出射光线为相邻的发光二极管所吸收，藉以增加光输出效率。

发明内容

依据一实施例，本发明提供了一种发光二极管阵列，包括：一基板，其上设置有由多个发光二极管芯片依序排列所形成的阵列、一介电层、一插栓、与一导电连接层。在一实施例中，每一发光二极管芯片均与位在其相邻列的其它发光二极管以一沟渠加以区隔，且每一该等发光二极管芯片均包括：一缓冲层；一第一型半导体，形成在缓冲层上，且上述第一型半导体包括有一较高的第二平台区域与一较低的第一平台区域；一主动层形成在上述第二平台区域；一第二型半导体，形成在上述主动层上；一第一型电极，形成在上述第二型半导体上；以及一第二型电极，形成在上述主动层上。而介电层覆盖每一沟渠所裸露的基板表面以及沟渠两侧的上述发光二极管芯片的侧壁及部分的第一型半导体层和部分的第二型半导体层的表面，并且露出上述第一型电极和上述第二型电极。上述插栓填充在沟渠中且位于上述介电层之上而受其环绕。而上述导电连接层位在该插栓和该介电层上，使得每一上述发光二极管的第一型电极分别与一位在其相邻列的其它上述发光二极管的第二型电极连接。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附的图式，作详细说明如下：

附图说明

图1-图4显示了依据本发明的一实施例的一种发光二极管阵列的制作；

图5为一示意图，显示了依据图4所示的本发明的一实施例的发光二极管阵列所具有的较佳的光输出效率的优点；

图6为一俯视图，显示了依据本发明的一实施例的一种发光二极管阵列；

图7为一俯视图，显示了依据本发明的另一实施例的一种发光二极管阵列。

附图标记说明：

100～基板；

102～缓冲层；

104～第一型半导体层；

105a～第一平台区域；

105b～第二平台区域；

106～主动层；

108～第二型半导体层；

110～沟渠；

112～介电层；

114～阻剂层；

116～反射材料；

116a～插栓；

118～顶面；

120～沉积制程；

122～导电连接层；

124、126～导电层；

150、160～发光二极管芯片；

170～光线。

具体实施方式

请参照图1-图4，显示了依据本发明的一实施例的一种发光二极管阵列的制作方法，所制作出的发光二极管阵列具有较佳的光输出效率。

如图1所示，首先提供一基板100，其上形成有数个发光二极管芯片。基于简化图示的目的，在此仅绘示了形成在基板100上的相邻两发光二极管芯片150与160。在一实施例中，基板100例如为一蓝宝石基板或一含硅基板，而发光二极管芯片150与160分隔地形成在基板100的一部分之上，且依序排列形成一阵列形态。如图1所示，相邻的发光二极管芯片150与160之间为一沟渠110所区隔，而沟渠110则露出了基板100表面的一部分。