[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210088108.1 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102916054A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种肖特基势垒二极管及其制造方法。所述肖特基势垒二极管(SBD)通过包括掺杂有铝(Al)的n-氮化镓(GaN)层和GaN层而确保高结晶度来提高电特性和光学特性。另外，通过在Al-掺杂的GaN层上设置p-GaN层，当施加反向电流时可以形成耗尽层。由此降低泄漏电流。所述肖特基势垒二极管可以通过蚀刻Al-掺杂的GaN层的一部分并由Al-掺杂的GaN层的所述蚀刻部分生长p-GaN层来制造。因此，不损伤薄膜晶体，由此提高了可靠性。另外，由于用于离子注入和热加工的专用工艺是不必要的，因此可以实现工艺简化和成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管(SBD)，包括：衬底；n‑氮化镓(GaN)层，设置在所述衬底的表面上且掺杂有铝(Al)；GaN层，设置在所述Al‑掺杂的n‑GaN层上且掺杂有Al；第一电极，设置在所述Al‑掺杂的GaN层上；以及第二电极，设置在所述衬底的与其上设置有所述Al‑掺杂的n‑GaN层的表面相对的表面上。
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