[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种肖特基势垒二极管(SBD)，包括：

衬底；

n-氮化镓(GaN)层，设置在所述衬底的表面上且掺杂有铝(Al)；

GaN层，设置在所述Al-掺杂的n-GaN层上且掺杂有Al；

第一电极，设置在所述Al-掺杂的GaN层上；以及

第二电极，设置在所述衬底的与其上设置有所述Al-掺杂的n-GaN层的表面相对的表面上。

2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，还包括设置在所述Al-掺杂的GaN层上的p-GaN层，

其中所述p-GaN层通过在所述Al-掺杂的GaN层的蚀刻部分上生长并与所述第一电极接触而形成。

3.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中，在所述Al-掺杂的n-GaN层和所述Al-掺杂的GaN层中Al的含量在0.01％至1％的范围内。

4.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，还包括设置在所述衬底上的缓冲层。

5.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中，所述衬底包括选自由硅(Si)衬底、碳化硅(SiC)衬底、氮化铝(AlN)衬底、和氮化镓(GaN)衬底组成的组中的一种。

6.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中，所述第一电极包括选自由镍(Ni)、金(Au)、铜铟氧化物(CuInO₂)、铟锡氧化物(ITO)、铂(Pt)、以及它们的合金组成的组中的一种。

7.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中，所述第二电极包括选自由铬(Cr)、Al、钽(Ta)、铊(Tl)和Au组成的组中的一种。

8.一种用于肖特基势垒二极管(SBD)的制造方法，包括：

在衬底的表面上形成铝(Al)-掺杂的n-氮化镓(GaN)层；

在所述Al-掺杂的n-GaN层上形成Al-掺杂的GaN层；

在所述衬底的与其上设置有所述Al-掺杂的n-GaN层的表面相对的表面上形成第二电极；以及

在所述Al-掺杂的GaN层上形成第一电极。

9.根据权利要求8所述的制造方法，还包括形成设置在所述Al-掺杂的GaN层上的p-GaN层，

其中形成所述p-GaN层包括对所述Al-掺杂的GaN层的一部分进行蚀刻并从所述Al-掺杂的GaN层的蚀刻部分生长所述p-GaN层，从而使生长的p-GaN层与所述第一电极接触。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，形成所述p-GaN层在1000℃至1200℃的温度范围内进行。

11.根据权利要求8所述的制造方法，其中，在所述Al-掺杂的n-GaN层和所述Al-掺杂的GaN层中Al的含量在0.01％至1％的范围内。

12.根据权利要求8所述的制造方法，其中，

所述衬底是绝缘衬底，并且

在除去所述绝缘衬底并形成用于将所述Al-掺杂的n-GaN层与所述第二电极结合的结合层之后进行所述第二电极的形成。