[发明专利]发光二极管的封装结构与其制法无效
| 申请号： | 201210082441.1 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367614A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王宏洲 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/54 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;吕俊清 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管的封装结构与其制法。发光二极管的封装结构包括：基板；发光二极管芯片形成于基板上；第一疏水性阻挡层形成于基板上且包围发光二极管芯片；以及第一覆盖层形成于基板上且覆盖发光二极管芯片，其中第一疏水性阻挡层作为第一覆盖层的边界且第一覆盖层的切面与基板之间的夹角为约60-90度。本发明的发光二极管封装结构的制法简单且可利用简单的劈裂机进行单颗芯片分离步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 与其 制法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的封装结构，包括：一基板；一发光二极管芯片，形成于该基板上；一第一疏水性阻挡层，形成于该基板上且包围该发光二极管芯片；以及一第一覆盖层，形成于该基板上且覆盖该发光二极管芯片，其中该第一疏水性阻挡层作为该第一覆盖层的边界且该第一覆盖层的切面与该基板之间的夹角为约60‑90度。
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