[发明专利]发光二极管的封装结构与其制法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管的封装结构，且特别涉及一种具有疏水性阻挡层的发光二极管封装结构。

背景技术

发光二极管(light emitting diode，LED)由于体积小、使用寿命长、耗电量低与亮度高等优点，以取代传统的灯泡，成为目前最重要的发光元件。

请参见图1，此图为现有以模造成型(molding)的方式形成的发光二极管封装结构10，发光二极管封装结构10包括基板12，发光二极管芯片14形成于基板12之上，导线16电性连接发光二极管芯片14与形成于基板12上的导线支架(图中未显示)，以及封装胶18覆盖于发光二极管芯片14之上。

现有进行模造成型步骤时，需要于模具中加上一层离形层(release film)以帮助脱模，然而，离形层的材料特殊，且模具设备成本高。此外，由于相邻两发光二极管芯片14之间的封装胶18具有一定的厚度，因此进行基板单颗芯片分离步骤时，仅能使用切割设备(dicing)，而无法使用较为简易的劈裂机(breaker)进行分离步骤。

美国专利公告号US 7,732,233提出一种发光二极管封装结构，其依据硅质载板本身的特性与硅质载板上的导引线、光电元件、凹杯结构(depression)及覆晶凸块等元件的配置，提高封装结构的可靠度。此专利需要先形成凹杯结构，接着将发光二极管芯片设置于凹杯结构中，于发光二极管芯片上再形成一平坦层，最后才形成封装胶，然而，此结构的复杂度高且制法步骤繁琐。

发明内容

本发明的目的在于提出一种发光二极管封装结构与其制法，使此封装结构的制法简单且可利用简单的劈裂机(breaker)进行单颗芯片分离步骤。

本发明提供一种发光二极管的封装结构，包括：一基板；一发光二极管芯片，形成于该基板上；一第一疏水性阻挡层，形成于该基板上且包围该发光二极管芯片；以及一第一覆盖层，形成于该基板上且覆盖该发光二极管芯片，其中该第一疏水性阻挡层作为该第一覆盖层的边界且该第一覆盖层的切面与该基板之间的夹角为约60-90度。

本发明另提供一种发光二极管的封装结构的制法，包括以下步骤：提供一基板；于该基板上形成一第一疏水性阻挡层；于该基板上形成一发光二极管芯片，其中该发光二极管芯片设置于该第一疏水性阻挡层所围绕的区域内；以及于该基板上且覆盖该发光二极管芯片形成一第一覆盖层，其中该第一疏水性阻挡层作为该第一覆盖层的边界且该第一覆盖层的切面与该基板之间的夹角为约60-90度

为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为一剖面图，用以说明现有的发光二极管的封装结构。

图2A为一剖面图，用以说明本发明的发光二极管的封装结构。

图2B为一俯视图，用以说明本发明的发光二极管的封装结构。

图3A-3C为一系列俯视图，用以说明本发明的第一疏水性阻挡层的各种实施例。

图4为一俯视图，用以说明本发明的第一覆盖层的结构。

图5为一剖面图，用以说明本发明的发光二极管的封装结构的第二实施例。

图6为一剖面图，用以说明本发明的发光二极管的封装结构的第三实施例。

图7为一剖面图，用以说明本发明的发光二极管的封装结构的第四实施例。

图8为一剖面图，用以说明本发明的发光二极管的封装结构具有多个发光二极管芯片。

其中，附图标记说明如下：

10～发光二极管封装结构

12～基板

14～发光二极管芯片

16～导线

18～封装胶

100～发光二极管的封装结构

102～基板

104～发光二极管芯片

106～第一疏水性阻挡层

108～第一覆盖层

110～掺杂物

110a～掺杂物层

112～导通孔

114～第一导电垫

116～第二导电垫

120～导线

150～切口

206～第二疏水性阻挡层

208～第二覆盖层

θ₁～第一覆盖层的切面与基板之间的夹角

θ₂～第二覆盖层的切面与基板之间的夹角

具体实施方式