[发明专利]发光二极管的封装结构与其制法

权利要求书

1.一种发光二极管的封装结构，包括：

一基板；

一发光二极管芯片，形成于该基板上；

一第一疏水性阻挡层，形成于该基板上且包围该发光二极管芯片；以及

一第一覆盖层，形成于该基板上且覆盖该发光二极管芯片，其中该第一疏水性阻挡层作为该第一覆盖层的边界且该第一覆盖层的切面与该基板之间的夹角为约60-90度。

2.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其中该基板包括氧化铝、氮化铝、硅基板、碳化硅、铜金属或其合金、铝金属或其合金、金属核心印刷电路板、覆铜陶瓷基板、FR4板或FR5板。

3.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其中该第一疏水性阻挡层的材料包括氟系材料或硅氧烷系材料。

4.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其中该第一疏水性阻挡层包括透明或不透明材料。

5.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其中该第一疏水性阻挡层的图案包括圆形、矩形、椭圆形、菱形、三角形或不规则形状。

6.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其中该第一疏水性阻挡层的厚度为约10-500μm。

7.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其中该第一覆盖层的材料包括硅胶、环氧树脂、玻璃或上述的组合。

8.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其中该第一覆盖层包括连续或不连续区块。

9.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其中该第一覆盖层中还包括一光扩散粒子或一光波长转换粒子。

10.如权利要求9所述的发光二极管的封装结构，其中该光扩散粒子包括二氧化硅、氧化铝、氧化钛、氟化钙、碳酸钙、硫酸钡或上述的组合。

11.如权利要求9所述的发光二极管的封装结构，其中该光波长转换粒子包括钇铝石榴石荧光粉、硅酸盐荧光粉、铽铝石榴石荧光粉、氧化物荧光粉、氮化物荧光粉、铝氧化物荧光粉或上述的组合。

12.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其中该发光二极管芯片的表面上还包括一光学扩散层或一光波长转换层。

13.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，还包括：

一第二疏水性阻挡层，形成于该基板上且围绕该第一疏水性阻挡层；以及

一第二覆盖层，形成于该基板与该第一覆盖层上，其中该第二疏水性阻挡层作为该第二覆盖层的边界且该第二覆盖层的切面与该基板之间的夹角为约60-90度。

14.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，还包括：

多个形成于该基板中的导通孔；

多个形成于所述多个导通孔上的第一导电垫，多个形成于所述多个导通孔下的第二导电垫；

多条形成于该发光二极管芯片上的导线，其中该发光二极管芯片通过所述多个导线、所述多个第一导电垫、所述多个导通孔电性连接至所述多个第二导电垫。

15.一种发光二极管的封装结构的制法，包括以下步骤：

提供一基板；

于该基板上形成一第一疏水性阻挡层；

于该基板上形成一发光二极管芯片，其中该发光二极管芯片设置于该第一疏水性阻挡层所围绕的区域内；以及

于该基板上且覆盖该发光二极管芯片形成一第一覆盖层，其中该第一疏水性阻挡层作为该第一覆盖层的边界且该第一覆盖层的切面与该基板之间的夹角为约60-90度。

16.如权利要求15所述的发光二极管的封装结构的制法，其中形成该第一疏水性阻挡层的方法包括点胶工艺、网印工艺、贴合工艺、黄光微影工艺、喷涂工艺或沉积工艺。

17.如权利要求15所述的发光二极管的封装结构的制法，其中形成该第一覆盖层的方法包括点胶工艺、网印工艺、模具成型工艺或贴合工艺。

18.如权利要求15所述的发光二极管的封装结构的制法，其中该制法还包括：

于该第一覆盖层中形成一光扩散粒子或一光波长转换粒子。

19.如权利要求15所述的发光二极管的封装结构的制法，于形成该第一覆盖层之前，还包括以下步骤：

于该发光二极管芯片的表面上形成一光学扩散层或一光波长转换层。

20.如权利要求15所述的发光二极管的封装结构的制法，其中该制法还包括以下步骤：

于该基板上且围绕该第一疏水性阻挡层形成一第二疏水性阻挡层；以及

于该基板与该第一覆盖层上形成一第二覆盖层，其中该第二覆盖层以该第二疏水性阻挡层作为边界且该第二覆盖层的切面与该基板之间的夹角为约60-90度。