[发明专利]显示装置及其制造方法、和具有该显示装置的电子设备无效
申请号: | 201210075788.3 | 申请日: | 2012-03-19 |
公开(公告)号: | CN102694005A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 师冈光雄;广升泰信 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及显示装置及其制造方法、和具有该显示装置的电子设备。本发明公开了显示装置,其包括:半导体层、栅极、源/漏极层和有机电场发光元件。半导体层设置在衬底上并且由氧化物半导体制成。栅极设置在半导体层的选择性第一区域上方,栅极绝缘膜夹在栅极和半导体层之间。源/漏极层适于用作源极或漏极,并且源/漏极层电连接到半导体层的第二区域,第二区域在半导体层的第一区域附近。此外,有机电场发光元件设置在半导体层的第三区域上方,第三区域不同于半导体层的第一区域和第二区域,有机电场发光元件具有用于第三区域的被驱动作为像素电极的区域。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 具有 电子设备 | ||
【主权项】:
一种显示装置,其包括:半导体层,其设置在衬底上并且由氧化物半导体制成;栅极,其设置在所述半导体层的选择性第一区域上方,栅极绝缘膜夹在所述栅极和所述半导体层之间;源/漏极层,其适于用作源极或漏极,并且所述源/漏极层电连接到所述半导体层的第二区域,所述第二区域在所述半导体层的所述第一区域附近;和有机电场发光元件,其设置在所述半导体层的第三区域上方,所述第三区域不同于所述半导体层的所述第一区域和所述第二区域,所述有机电场发光元件具有用于所述第三区域的被驱动作为像素电极的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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