“师冈光雄”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]显示装置及其制造方法、修理显示装置的方法及电子设备-CN201810153757.2有效
发明人：上杉昌尚;山田二郎;师冈光雄;广升泰信 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开提供显示装置及其制造方法、修理显示装置的方法及电子设备。显示装置包括布置成二维矩阵的发光元件，其中发光元件包括设置在基板上的驱动电路、覆盖驱动电路和基板的第一绝缘层、发光部分以及第二绝缘层，在该发光部分中层叠有第一电极、具有发光层的有机层和第二电极，该第二绝缘层覆盖第一电极。
显示装置及其制造方法修理电子设备

[发明专利]显示装置及其制造方法、修理显示装置的方法及电子设备-CN201310089632.5有效
发明人：上杉昌尚;山田二郎;师冈光雄;广升泰信 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开提供显示装置及其制造方法、修理显示装置的方法及电子设备。显示装置包括布置成二维矩阵的发光元件，其中发光元件包括设置在基板上的驱动电路、覆盖驱动电路和基板的第一绝缘层、发光部分以及第二绝缘层，在该发光部分中层叠有第一电极、具有发光层的有机层和第二电极，该第二绝缘层覆盖第一电极。
显示装置及其制造方法修理电子设备

[发明专利]显示装置及其制造方法、和具有该显示装置的电子设备-CN201210075788.3无效
发明人： 师冈光雄;广升泰信 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置及其制造方法、和具有该显示装置的电子设备。本发明公开了显示装置，其包括：半导体层、栅极、源/漏极层和有机电场发光元件。半导体层设置在衬底上并且由氧化物半导体制成。栅极设置在半导体层的选择性第一区域上方，栅极绝缘膜夹在栅极和半导体层之间。源/漏极层适于用作源极或漏极，并且源/漏极层电连接到半导体层的第二区域，第二区域在半导体层的第一区域附近。此外，有机电场发光元件设置在半导体层的第三区域上方，第三区域不同于半导体层的第一区域和第二区域，有机电场发光元件具有用于第三区域的被驱动作为像素电极的区域。
显示装置及其制造方法具有电子设备

[发明专利]有源矩阵基片、显示装置及制造有源矩阵基片的方法-CN200610103005.2有效
发明人：辻村隆俊;德弘修;三和宏一;师冈光雄 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2001-07-09 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：所公开的是一种有源矩阵基片，通过把栅绝缘膜和ITO膜沉积在导线上使该基片能防止引出线腐蚀等问题，而又不增加图案形成过程的次数，提高制造过程的生产量及可靠性。本发明包括源极和漏极，它们沉积在绝缘基片上并彼此分开一个预先确定的间隙；沉积在源极和漏极上的a－Si层；沉积在a－Si层上的栅绝缘膜；沉积在栅绝缘膜上的栅极；以及具有第1和第2部分的ITO膜，这第1部分覆盖在栅极上，其图案与栅极图案基本相同，这第2部分沉积在或者是源极或者是漏极上并构成像素电极；以及与漏极相连的数据线，它由栅绝缘膜覆盖，从而使a－Si膜介入这二者之间。
有源矩阵显示装置制造方法

[发明专利]有机EL元件以及制造方法-CN200610108094.X有效
发明人：加纳圭吾;师冈光雄;莲见太朗;福冈宏美;渡边雅也 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：提供一种可以良好地防止由于电极受到工序损伤而引起的品质下降以及导通不良的高品质的有机EL元件及其制造方法。该有机EL元件包括：第一电极(13)；保护层(15)，其形成于第一电极(13)上，具有使第一电极(13)露出的开口部分；绝缘层(17)，其形成于保护层(15)上；有机层(19)，其被形成于从绝缘层(17)上开始直到从开口部分内露出的第一电极(13)上，并包括发光层；以及第二电极(21)，其形成于有机层(19)上，保护层(15)的膜厚比有机层(19)的膜厚薄。
有机 el 元件以及制造方法

[发明专利]有机发光二极管器件和制造该有机发光二极管器件的方法-CN03821958.1无效
发明人：辻村隆俊;师冈光雄;加纳圭吾;三和宏一 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：一种有机电致发光显示器和制造该有机电致发光显示器的方法。该有机电致发光显示器包括基材(12)、在基材(12)上形成的透光电极(14)、在基材(12)上形成的并包含空穴传输材料和电子传输材料的由膜形成的功能层(16)、在功能层(16)上形成的沟道图案(18a、18b)、掺入构成沟道图案的隔壁之间的功能层(16)中的掺杂剂(Do)、和覆盖沟道图案(18a、18b)的反光电极(20)。掺杂剂(Do)是通过毛细作用引入沟道图案(18a、18b)的，使得高清晰度色彩图案化成为可能。还公开了制造上述有机电致发光显示器的方法。
有机发光二极管器件制造方法

[发明专利]有源矩阵基片、显示装置及制造有源矩阵基片的方法-CN200410054559.9有效
发明人：辻村隆俊;德弘修;三和宏一;师冈光雄 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-07-09 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：所公开的是一种有源矩阵基片，通过把栅绝缘膜和ITO膜沉积在导线上使该基片能防止引出线腐蚀等问题，而又不增加图案形成过程的次数，提高制造过程的生产量及可靠性。本发明包括源极和漏极，它们沉积在绝缘基片上并彼此分开一个预先确定的间隙；沉积在源极和漏极上的a－Si层；沉积在a－Si层上的栅绝缘膜；沉积在栅绝缘膜上的栅极；以及具有第1和第2部分的ITO膜，这第1部分覆盖在栅极上，其图案与栅极图案基本相同，这第2部分沉积在或者是源极或者是漏极上并构成像素电极；以及与漏极相连的数据线，它由栅绝缘膜覆盖，从而使a－Si膜介入这二者之间。
有源矩阵显示装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及图像显示装置-CN200410044712.X有效
发明人：辻村隆俊;小野晋也;师冈光雄;三和宏一 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2004-05-17 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及图像显示装置。提供能够抑制阈值电压变动的薄膜晶体管，通过配备该薄膜晶体管，实现能够在长时期内抑制画质劣化的显示装置。本发明的薄膜晶体管，使栅电极(3)的上端和源区(5a)的上端的距离，比栅电极(3)和沟道形成区(5c)的上端的距离大，进而，通过在饱和区下的工作，即使在持续地导通状态使用的情况下，也能够抑制阈值电压的变动。另外，通过将该薄膜晶体管作为驱动元件使用，能够实现在长时期内可高品质图像显示的图像显示装置。
薄膜晶体管图像显示装置

[发明专利]图像显示装置-CN03157904.3有效
发明人：辻村隆俊;师冈光雄;末冈邦昭;小原小百合 -专利权人：奇美电子股份有限公司;京瓷株式会社
申请日： 2003-08-26 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H05B33/00 文献下载
摘要：一种图像显示装置，其设有有机电激发光(EL)元件作为发光元件，且能缓和或消除从外面空气中隔离而密封该EL元件的构造中所产生的应力。它包含有：配设于阵列基板上或阵列基板内的信号线驱动电路1；从信号线驱动电路1开始延伸的多条信号线2；扫描线驱动电路3；从信号线驱动电路1开始延伸的多条扫描线4；及对应像素而在阵列基板上配置呈矩阵状的有机EL元件的显示区域5。在阵列基板上，包含有从外面空气中隔离而遮蔽有机EL元件用的保护层6；及配设成将保护层6分割成多个区域的应力缓和层7。藉由设置应力缓和层7，由于保护层6可分割成多个区域，所以可缓和或消除起因于各个保护层6的应力，且能抑制阵列基板的损伤、保护层6的剥离。
图像显示装置

[发明专利]显示装置、发光二极管屏、薄膜晶体管控制装置及方法-CN03108527.X有效
发明人：辻村隆俊;三和宏一;师冈光雄 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：在用薄膜晶体管(TFT)驱动OLED(有机发光二极管)时，减小薄膜晶体管所产生的阈值电压(Vth)的正偏移。用于驱动OLED(有机发光二极管)的晶体管的非晶硅TFT，通过使栅压和漏极电压同时导通和切断，来去除阈值电压(Vth)的增加分量。即在OLED显示屏(10)中，包括：用非晶硅TFT驱动OLED的驱动电路(20)；以及电源线驱动器(14)，在将使提供给该驱动电路(20)中的非晶硅TFT的栅电极的栅极电压导通－截止时，将提供给非晶硅TFT的漏电极的电压截止。
显示装置发光二极管薄膜晶体管控制装置方法

[发明专利]有机发光二极管器件及其制造方法-CN03103556.6有效
发明人：辻村隆俊;田中淳;三和宏一;师冈光雄 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-01-29 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成在衬底上的有机LED器件及其制造方法。该有机LED器件由包括：一开关TFT和一驱动器TFT，每个都形成在一衬底上；一有机LED元件，对应每个像素的，该元件形成在该衬底上，该元件与该衬底之间形成有一绝缘膜，该有机LED元件连接到该驱动器TFT；一阳极，其连接到一公共电极；以及一阴极，连接该驱动器TFT和形成在该绝缘膜上的该有机LED元件。作为公共电极，阳极将多个像素彼此相连，由此改善了制造过程中的自对准性。
有机发光二极管器件及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基片、显示装置及制造有源矩阵基片的方法-CN01122828.8有效
发明人：辻村隆俊;德弘修;三和宏一;师冈光雄 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-07-09 - 公布日： 2002-01-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所公开的是一种有源矩阵基片,通过把栅绝缘膜和ITO膜沉积在导线上使该基片能防止引出线腐蚀等问题,而又不增加图案形成过程的次数,提高制造过程的生产量及可靠性。本发明包括源极和漏极,它们沉积在绝缘基片上并彼此分开一个预先确定的间隙;沉积在源极和漏极上的a－Si层;沉积在a－Si层上的栅绝缘膜;沉积在栅绝缘膜上的栅极;以及具有第1和第2部分的ITO膜,这第1部分覆盖在栅极上,其图案与栅极图案基本相同,这第2部分沉积在或者是源极或者是漏极上并构成像素电极;以及与漏极相连的数据线,它由栅绝缘膜覆盖,从而使a－Si膜介入这二者之间。
有源矩阵显示装置制造方法

[发明专利]制作包含顶部栅极型TFT的有源矩阵器件的方法和装置-CN01119079.5有效
发明人：辻村隆俊;德弘修;师冈光雄;宫本隆志 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-05-25 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种方法和装置,用于制作包含顶部栅极型TFT的有源矩阵器件,它能够提高生产率和降低制作成本,而不会负面影响TFT特性。此方法包括下列步骤在CVD加工室9的内壁上形成氧化物膜15;在加工室9中放置其上形成有源电极和漏电极5和4的基底1;用P掺杂源电极和漏电极5和4并在加工室中形成a－Si层6与栅极绝缘膜7。
制作包含顶部栅极 tft 有源矩阵器件方法装置

1
共 13 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top