[发明专利]制造半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 201210068928.4 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN102623470A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 亚历克西斯·德劳因;伯哈德·阿斯帕;克里斯托夫·德斯卢姆奥克斯;奥利弗·勒杜;克里斯托夫·菲盖 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：提供包括基底、绝缘层和第一半导体层的绝缘体上硅型衬底；对该第一半导体层进行掺杂从而得到改性的第一半导体层；以及在改性的第一半导体层上，特别是改性的第一半导体层上面提供具有与改性的第一半导体层不同的掺杂浓度的第二半导体层。根据该方法，可以在不同层中始终实现改进的掺杂浓度分布，使得该衬底特别适合于光电应用。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供包括基底(3)、绝缘层(5)和第一半导体层(7)的绝缘体上硅型(SOI)衬底(1)；b)对所述第一半导体层(7)进行掺杂以得到改性的第一半导体层(9)；以及c)在所述改性的第一半导体层(9)上，特别是在所述改性的第一半导体层(9)上面，提供具有与所述改性的第一半导体层(9)不同的掺杂浓度的第二半导体层(13)，其中，所述第二半导体层(13)的特别是扩散掺杂的掺杂与生长同时发生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
