[发明专利]半导体集成电路和DC-DC转换器有效

专利信息
申请号: 201210055886.0 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN103138539A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 东海阳一 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/44
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开一种半导体集成电路和DC-DC转换器。DC-DC转换器包括:平滑化电容器,连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间,并平滑化输出电压。DC-DC转换器包括:扼流线圈,其一端与电池的一端连接。DC-DC转换器包括:半导体集成电路,具有与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子、与上述第1输出端子连接的第1电位端子、和与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子。
搜索关键词: 半导体 集成电路 dc 转换器
【主权项】:
一种DC‑DC转换器,其特征在于,包括:平滑化电容器,连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间,并平滑化输出电压,扼流线圈,其一端与电池的一端连接,半导体集成电路,具有与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子、与上述第1输出端子连接的第1电位端子、和与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子,上述半导体集成电路包括:第1导电型的第1MOS晶体管,其一端与上述第1电位端子连接,其另一端与上述开关端子连接,向其栅极输入第1控制信号,第2导电型的第2MOS晶体管,其一端与上述开关端子连接,其另一端与上述第2电位端子连接,第1导电型的第3MOS晶体管,其一端与上述第1电位端子连接,其另一端与上述第2MOS晶体管的栅极连接,第2导电型的第4MOS晶体管,其一端与上述第3MOS晶体管的另一端连接,其另一端与上述第2电位端子连接,第2导电型的第5MOS晶体管,其一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接,其另一端与上述第2电位端子连接,第1逆变器,向其输入第2控制信号,其输出与上述第3MOS晶体管的栅极连接,第2逆变器,向其输入上述第2控制信号,其输出与上述第4MOS晶体管的栅极连接,开关控制电路,通过上述第1控制信号及上述第2控制信号控制上述第1MOS晶体管及上述第2MOS晶体管的工作,栅控制电路,连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间,控制上述第5MOS晶体管的工作。
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