[发明专利]半导体集成电路和DC-DC转换器有效
申请号: | 201210055886.0 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN103138539A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 东海阳一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/44 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开一种半导体集成电路和DC-DC转换器。DC-DC转换器包括:平滑化电容器,连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间,并平滑化输出电压。DC-DC转换器包括:扼流线圈,其一端与电池的一端连接。DC-DC转换器包括:半导体集成电路,具有与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子、与上述第1输出端子连接的第1电位端子、和与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 dc 转换器 | ||
【主权项】:
一种DC‑DC转换器,其特征在于,包括:平滑化电容器,连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间,并平滑化输出电压,扼流线圈,其一端与电池的一端连接,半导体集成电路,具有与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子、与上述第1输出端子连接的第1电位端子、和与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子,上述半导体集成电路包括:第1导电型的第1MOS晶体管,其一端与上述第1电位端子连接,其另一端与上述开关端子连接,向其栅极输入第1控制信号,第2导电型的第2MOS晶体管,其一端与上述开关端子连接,其另一端与上述第2电位端子连接,第1导电型的第3MOS晶体管,其一端与上述第1电位端子连接,其另一端与上述第2MOS晶体管的栅极连接,第2导电型的第4MOS晶体管,其一端与上述第3MOS晶体管的另一端连接,其另一端与上述第2电位端子连接,第2导电型的第5MOS晶体管,其一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接,其另一端与上述第2电位端子连接,第1逆变器,向其输入第2控制信号,其输出与上述第3MOS晶体管的栅极连接,第2逆变器,向其输入上述第2控制信号,其输出与上述第4MOS晶体管的栅极连接,开关控制电路,通过上述第1控制信号及上述第2控制信号控制上述第1MOS晶体管及上述第2MOS晶体管的工作,栅控制电路,连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间,控制上述第5MOS晶体管的工作。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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