[发明专利]半导体集成电路和DC-DC转换器

权利要求书

1.一种DC-DC转换器，其特征在于，包括：

平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压，

扼流线圈，其一端与电池的一端连接，

半导体集成电路，具有与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子、与上述第1输出端子连接的第1电位端子、和与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子，

上述半导体集成电路包括：

第1导电型的第1MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，向其栅极输入第1控制信号，

第2导电型的第2MOS晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接，

第1导电型的第3MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第2MOS晶体管的栅极连接，

第2导电型的第4MOS晶体管，其一端与上述第3MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，

第2导电型的第5MOS晶体管，其一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接，其另一端与上述第2电位端子连接，

第1逆变器，向其输入第2控制信号，其输出与上述第3MOS晶体管的栅极连接，

第2逆变器，向其输入上述第2控制信号，其输出与上述第4MOS晶体管的栅极连接，

开关控制电路，通过上述第1控制信号及上述第2控制信号控制上述第1MOS晶体管及上述第2MOS晶体管的工作，

栅控制电路，连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间，控制上述第5MOS晶体管的工作。

2.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，

上述栅控制电路，

在控制上述第2MOS晶体管以限制上述第2MOS晶体管中流动的电流的减少速度时，控制上述第5MOS晶体管导通。

3.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，

上述栅控制电路包括：

第1电容器，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第5MOS晶体管的栅极连接，

第1电阻元件，连接在上述第1电容器的另一端和上述第2电位端子之间。

4.如权利要求2所述的DC-DC转换器，其特征在于，

上述栅控制电路包括：

第1电容器，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第5MOS晶体管的栅极连接，

第1电阻元件，连接在上述第1电容器的另一端和上述第2电位端子之间。

5.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，

上述开关控制电路，

通过上述第1控制信号及上述第2控制信号控制上述第1MOS晶体管和上述第2MOS晶体管互补地导通/截止。

6.如权利要求5所述的DC-DC转换器，其特征在于，

上述开关控制电路，

在控制上述第2MOS晶体管从导通到截止之后，控制上述第1MOS晶体管从截止到导通，使贯通电流在上述第1MOS晶体管和上述第2MOS晶体管之间不流动。

7.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，

在上述第1输出端子和上述第1电位端子之间的布线中存在第1寄生电感器，

在上述第2输出端子和上述第2电位端子之间的布线上存在第2寄生电感器。

8.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，

上述第1逆变器包括：

第1导电型的第6MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第3MOS晶体管的栅极连接，向其栅极输入上述第2控制信号，

第2导电型的第7MOS晶体管，其一端与上述第6MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第6MOS晶体管的栅极连接，

上述第2逆变器包括：

第1导电型的第8MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接，其栅极与上述第6MOS晶体管的栅极连接，

第2导电型的第9MOS晶体管，其一端与上述第8MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第8MOS晶体管的栅极连接。