[发明专利]半导体集成电路和DC-DC转换器

说明书

相关专利申请的引用

本申请享受2011年12月1日申请的日本申请专利编号2011-263663的优先权的利益，该日本专利申请的全部内容在本申请中援用。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路和DC-DC转换器。

背景技术

以前，DC-DC转换器通过导通/截止多个开关元件或整流元件控制开关脉冲的导通/截止时间比，向负载供给希望的电压、电流。

为了这样的DC-DC转换器的小型化和高速控制，不断做出提高开关频率的改良。然而，在将用于提高效率的导通/截止速度提高到必要以上时，引起EMI(Electro Magnetic Interference：电磁干扰)和接地噪音。

发明内容

本发明要解决的课题在于提供一种可在提高开关速度同时，降低接地噪音的半导体集成电路、和DC-DC转换器。

实施方式的DC-DC转换器，其特征在于，包括：

平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压，

扼流线圈，其一端与电池的一端连接，

半导体集成电路，具有与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子、与上述第1输出端子连接的第1电位端子、和与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子，

上述半导体集成电路包括：

第1导电型的第1MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，向其栅极输入第1控制信号，

第2导电型的第2MOS晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接，

第1导电型的第3MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第2MOS晶体管的栅极连接，

第2导电型的第4MOS晶体管，其一端与上述第3MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，

第2导电型的第5MOS晶体管，其一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接，其另一端与上述第2电位端子连接，

第1逆变器(inverter)，输入第2控制信号，其输出与上述第3MOS晶体管的栅极连接，

第2逆变器，输入上述第2控制信号，其输出与上述第4MOS晶体管的栅极连接，

开关控制电路，通过上述第1控制信号及上述第2控制信号控制上述第1MOS晶体管及上述第2MOS晶体管的工作，

栅控制电路，连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间，控制上述第5MOS晶体管的工作。

其他实施方式的半导体集成电路，其特征在于，上述半导体集成电路适用于DC-DC转换器，上述DC-DC转换器包括：平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压；扼流线圈，其一端与电池的一端连接；上述半导体集成电路包括：

与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子，

与上述第1输出端子连接的第1电位端子，

与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子，

第1导电型的第1MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，向其栅极输入第1控制信号，

第2导电型的第2MOS晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接，

第1导电型的第3MOS晶体管，其一端与上述第1电位端子连接，其另一端与上述第2MOS晶体管的栅极连接，

第2导电型的第4MOS晶体管，其一端与上述第3MOS晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，

第2导电型的第5MOS晶体管，其一端与上述第4MOS晶体管的栅极连接，其另一端与上述第2电位端子连接，

第1逆变器，输入第2控制信号，其输出与上述第3MOS晶体管的栅极连接，

第2逆变器，输入上述第2控制信号，其输出与上述第4MOS晶体管的栅极连接，

开关控制电路，通过上述第1控制信号及上述第2控制信号控制上述第1MOS晶体管及上述第2MOS晶体管的工作，

栅控制电路，连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间，控制上述第5MOS晶体管的工作。