[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法有效
| 申请号： | 201210045399.6 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103295950A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成氧化层和刻蚀阻挡层；刻蚀形成沟槽；沉积掺碳氮化硅材质的衬垫层覆盖所述沟槽的底面和侧壁；进行热氧化工艺和退火工艺；沉积隔离材料填充所述沟槽；进行化学机械研磨；刻蚀去除浅沟槽外的衬垫层、所述刻蚀阻挡层、所述氧化层以及部分隔离材料，形成浅沟槽隔离结构。通过在刻蚀形成沟槽后，覆盖掺碳氮化硅材质的衬垫层，进行热氧化工艺和退火工艺，使掺碳氮化硅中部分氮化硅变为氮氧化硅，且掺碳氮化硅中的碳进入衬垫层与沟槽相接界面处，从而抑制硼掺杂的扩散进入浅沟槽隔离结构，避免掺杂区中硼掺杂浓度的减少，从而保护半导体器件的掺杂区浓度，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成氧化层和刻蚀阻挡层；刻蚀部分刻蚀阻挡层、氧化层和半导体衬底，以形成沟槽；沉积衬垫层，覆盖所述沟槽的底面和侧壁，所述衬垫层的材质为掺碳氮化硅；进行热氧化工艺和退火工艺；沉积隔离材料以填充所述沟槽；进行化学机械研磨直至暴露所述衬垫层；刻蚀去除浅沟槽外的衬垫层、所述刻蚀阻挡层、所述氧化层以及部分隔离材料，直至暴露所述半导体衬底，形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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