[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法有效
| 申请号： | 201210045399.6 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103295950A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成氧化层和刻蚀阻挡层；
刻蚀部分刻蚀阻挡层、氧化层和半导体衬底，以形成沟槽；
沉积衬垫层，覆盖所述沟槽的底面和侧壁，所述衬垫层的材质为掺碳氮化硅；
进行热氧化工艺和退火工艺；
沉积隔离材料以填充所述沟槽；
进行化学机械研磨直至暴露所述衬垫层；
刻蚀去除浅沟槽外的衬垫层、所述刻蚀阻挡层、所述氧化层以及部分隔离材料，直至暴露所述半导体衬底，形成浅沟槽隔离结构。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材质为氮化硅。
3.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述衬垫层采用低压化学气相沉积法形成，反应物包括氨气、乙烯和二氯硅烷，反应温度为450℃～600℃。
4.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述衬垫层采用低压化学气相沉积法形成，反应物包括氨气、乙烯和六氯乙硅烷，反应温度为450℃～600℃。
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述衬垫层的厚度为1nm～10nm。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述衬垫层中碳的摩尔浓度含量为1％～10％。
7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述热氧化工艺为炉管热氧化法或原位水汽生成法。
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述退火工艺的退火温度为900℃～1150℃。
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，刻蚀所述刻蚀阻挡层的物质包括磷酸。
10.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，刻蚀所述氧化层和隔离材料的物质包括稀释的氢氟酸。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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