[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，其制作方法包括：在基板上制备有源层薄膜和导电层薄膜；在导电层薄膜上沉积源漏极层薄膜，对导电层薄膜和源漏极层薄膜采用灰色调或半色调掩膜工艺进行处理，得到至少两条数据线、像素电极、TFT的源漏电极和沟道；阵列基板上一列TFT的源极与一条数据线连接；沉积覆盖有源层薄膜、源漏电极、数据线、像素电极的绝缘层薄膜后，在绝缘层上制备过孔、TFT的绝缘层，并得到TFT的有源层；在绝缘层上制备TFT的栅电极和与数据线交叉的至少两条栅极扫描线，阵列基板上一行TFT的栅电极与一条栅极扫描线连接。该方法降低了产品成本，提高了良品率和设备产能。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上制备有源层薄膜和导电层薄膜；在所述导电层薄膜上沉积源漏极层薄膜，对所述导电层薄膜和所述源漏极层薄膜采用灰色调或半色调掩膜工艺进行处理，得到至少两条数据线、像素电极、薄膜晶体管TFT的源漏电极和沟道；所述阵列基板上一列TFT的源极与一条所述数据线连接；沉积覆盖所述有源层薄膜、源漏电极、数据线、像素电极的绝缘层薄膜后，在所述绝缘层薄膜上制备过孔、TFT的绝缘层，并得到TFT的有源层；每条所述数据线对应的区域内的选定位置处设置有所述过孔；在所述绝缘层上制备TFT的栅电极和与所述数据线交叉的至少两条栅极扫描线，所述阵列基板上一行TFT的栅电极与一条所述栅极扫描线连接。