[发明专利]纳米线场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种纳米线场效应晶体管及其形成方法，形成纳米线场效应晶体管的方法包括：提供SOI衬底，SOI衬底包括第一半导体衬底、位于第一半导体衬底上的埋层、位于埋层上的第二半导体衬底；图形化第二半导体衬底形成源极区域、漏极区域以及纳米线；去除纳米线下方部分厚度的埋层，以形成凹槽，使纳米线悬置于凹槽中；在图形化后的第二半导体衬底和剩余埋层围成的区域的侧面形成侧墙；在源极区域侧面的侧墙和漏极区域侧面的侧墙之间形成包括栅极和栅介质层的栅极结构，栅极和侧墙的宽度之和等于纳米线的长度；对源极区域和漏极区域进行离子掺杂，形成源极和漏极。本技术方案缩短了纳米线的长度，可以减小源极和漏极之间的串联电阻。

主权项

一种形成纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括第一半导体衬底、位于所述第一半导体衬底上的埋层、位于所述埋层上的第二半导体衬底；图形化所述第二半导体衬底形成源极区域、漏极区域以及纳米线；去除所述纳米线下方部分厚度的埋层，以形成凹槽，使纳米线悬置于凹槽中；在图形化后的第二半导体衬底和剩余埋层围成的区域的侧面形成侧墙；在所述源极区域侧面的侧墙和漏极区域侧面的侧墙之间形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极和位于所述栅极和纳米线之间的栅介质层，在纳米线延伸方向上栅极和侧墙的宽度之和等于所述纳米线的长度；对所述源极区域和漏极区域进行离子掺杂，形成源极和漏极。