[发明专利]先进硅处理中的软错误率（SER）减少有效
| 申请号： | 201210035521.1 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102646627A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李永辉;蔡超杰;吴佳芳;李正中;曲维正;桂东 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供衬底。该方法包括在衬底上方形成互连结构的一部分。该部分互连结构具有开口。该方法包括获得没有硼-10同位素的含硼气体。该方法包括用导电材料填充开口以形成接触件。使用含硼气体实施填充开口。还提供一种半导体器件。半导体器件包括衬底。半导体器件包括形成在衬底上方的互连结构。半导体器件包括形成在互连结构中的导电接触件。导电接触件具有包括钨和硼的材料成分，其中，硼是富含11B的硼。本发明还提供了先进硅处理中的软错误率(SER)减少。 | ||
| 搜索关键词： | 先进 处理 中的 错误率 ser 减少 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供衬底；在所述衬底上方形成接触孔；以及使用富含11B的硼材料在所述接触孔中形成导电接触件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
