[发明专利]先进硅处理中的软错误率（SER）减少

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上方形成接触孔；以及

使用富含¹¹B的硼材料在所述接触孔中形成导电接触件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述富含¹¹B的硼材料的¹¹B含量实际上高于硼材料的¹¹B含量。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述富含¹¹B的硼材料的¹¹B含量高于约95％。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，以所述导电接触件包括钨的方式实施形成所述导电接触件。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述导电接触件包括：使用所述富含¹¹B的硼材料形成含钨种子层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述导电接触件包括：通过原子层沉积(ALD)工艺在所述接触孔中形成含钨种子层；

其中，在所述ALD工艺中将所述富含¹¹B的硼材料用作前体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述导电接触件进一步包括：在所述ALD工艺之后，实施化学汽相沉积(CVD)工艺，所述CVD工艺在所述含钨种子层上方形成钨材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述方法作为属于90-纳米技术节点以下的技术节点的制造工艺的一部分。

9.一种方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上方形成互连结构的一部分，所述互连结构的一部分具有开口；

获得基本上没有¹⁰B同位素的含硼气体；以及

用导电材料填充所述开口以形成接触件，使用所述含硼气体实施填充。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

互连结构，形成在所述衬底上方；以及

导电接触件，形成在所述互连结构中，所述导电接触件具有包括钨和硼的材料成分，其中，所述硼是富含¹¹B的硼。