[发明专利]一种耐高压隧穿晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210034358.7 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102569363A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 崔宁;梁仁荣;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种耐高压隧穿晶体管及其制备方法，该隧穿晶体管包括：半导体衬底；沟道区，形成在所述半导体衬底中，所述沟道区包括一个或多个STI；第一埋层和第二埋层，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述沟道区两侧，所述第一埋层为第一类型非重掺杂，所述第二埋层为第二类型非重掺杂；源区和漏区，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述第一埋层和第二埋层上，所述源区为第一类型重掺杂，所述漏区为第二类型重掺杂；栅介质和栅极，所述栅介质形成在所述沟道区的浅沟槽隔离STI之上，所述栅极形成在所述栅介质之上。通过在衬底的有源区设置STI，以增大沟道表面积，其效果相当于增大沟道长度，从而增强隧穿晶体管的耐高电压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种耐高压隧穿晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；沟道区，形成在所述半导体衬底中，所述沟道区包括一个或多个浅沟槽隔离STI；第一埋层和第二埋层，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述沟道区两侧，所述第一埋层为第一类型非重掺杂，所述第二埋层为第二类型非重掺杂；源区和漏区，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述第一埋层和第二埋层上，所述源区为第一类型重掺杂，所述漏区为第二类型重掺杂；栅介质和栅极，所述栅介质形成在所述沟道区的浅沟槽隔离STI之上，所述栅极形成在所述栅介质之上。
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