[发明专利]一种耐高压隧穿晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种耐高压隧穿晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

沟道区，形成在所述半导体衬底中，所述沟道区包括一个或多个浅沟槽隔离STI；

第一埋层和第二埋层，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述沟道区两侧，所述第一埋层为第一类型非重掺杂，所述第二埋层为第二类型非重掺杂；

源区和漏区，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述第一埋层和第二埋层上，所述源区为第一类型重掺杂，所述漏区为第二类型重掺杂；

栅介质和栅极，所述栅介质形成在所述沟道区的浅沟槽隔离STI之上，所述栅极形成在所述栅介质之上。

2.如权利要求1所述的耐高压隧穿晶体管，其特征在于，所述沟道区的浅沟槽隔离STI内填充有介质材料，所述介质材料对所述沟道区产生应力。

3.如权利要求1所述的耐高压隧穿晶体管，其特征在于，所述半导体衬底为轻掺杂或本征。

4.如权利要求1所述的耐高压隧穿晶体管，其特征在于，所述源区上形成有源区金属层，所述漏区上形成有漏区金属层。

5.如权利要求4所述的耐高压隧穿晶体管，其特征在于，所述源区金属层和漏区金属层的材料为金属半导体合金。

6.如权利要求1所述的耐高压隧穿晶体管，其特征在于，在所述栅介质和栅极的侧壁上形成有隔离层。

7.如权利要求4所述的耐高压隧穿晶体管，其特征在于，所述源区金属层、漏区金属层和栅极之上形成有钝化层，所述钝化层上具有贯通至所述源区金属层、漏区金属层和栅极的引线孔。

8.如权利要求7所述的耐高压隧穿晶体管，其特征在于，所述钝化层之上形成有引线金属层，所述引线金属层通过所述引线孔与所述源区金属层、漏区金属层和栅极连接。

9.一种耐高压隧穿晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供半导体衬底；

S2：在所述半导体衬底中形成一个或多个沟槽；

S3：在每个所述沟槽中填充介质材料以形成浅沟槽隔离STI；

S4：在所述一个或多个浅沟槽隔离STI之上形成栅堆叠，所述栅堆叠包括栅介质和位于所述栅介质之上的栅极，所述栅堆叠覆盖的所述半导体衬底的区域为沟道区；

S5：对所述沟道区的一个外侧进行第一类型非重掺杂以形成第一埋层；

S6：对所述沟道区的另一个外侧进行第二类型非重掺杂以形成第二埋层；

S7：对所述第一埋层的表面区域进行第一类型重掺杂以形成源区；

S8：对所述第二埋层的表面区域进行第二类型重掺杂以形成漏区。

10.如权利要求9所述的耐高压隧穿晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S3中填充的介质材料对所述沟道区产生应力。

11.如权利要求9所述的耐高压隧穿晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤S6之后包括：在栅堆叠侧壁上形成隔离层。

12.如权利要求9所述的耐高压隧穿晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤S8之后包括以下步骤：

S9：在所述源区上形成源区金属层，在所述漏区上形成漏区金属层。

13.如权利要求12所述的耐高压隧穿晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤S9之后包括以下步骤：

S10：在所述源区金属层、漏区金属层和栅极之上形成钝化层，在所述钝化层上形成贯通至所述源区金属层、漏区金属层和栅极的引线孔；

S11：在所述钝化层之上形成引线金属层，所述引线金属层通过所述引线孔与所述源区金属层、漏区金属层和栅极连接。