[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法无效
| 申请号： | 201210033728.5 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102569416A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李一帆;锺享显 | 申请（专利权）人： | 华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350015 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管设置在一基材上，包含有闸极、闸介电层、图案化半导体层、源极、覆盖有防蚀导电层的汲极、图案化保护层与透明导电层。防蚀导电层含有氧化铟锡或氧化铟锌，用以防止在蚀刻保护层制程中对汲极造成过蚀刻。在此亦提供一种薄膜晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包含：一闸极，位于一基材上；一闸介电层，覆盖该闸极；一图案化半导体层，位于该闸介电层上；一源极及一汲极，位于该图案化半导体层上；一防蚀导电层，位于该汲极的一上表面；一图案化保护层，覆盖该源极、该防蚀导电层及该图案化半导体层，该图案化保护层具有一接触窗露出该防蚀导电层的一部分；以及一透明导电层，位于该图案化保护层上，且该透明导电层经由该接触窗接触该防蚀导电层的该部分。
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