[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包含：

一闸极，位于一基材上；

一闸介电层，覆盖该闸极；

一图案化半导体层，位于该闸介电层上；

一源极及一汲极，位于该图案化半导体层上；

一防蚀导电层，位于该汲极的一上表面；

一图案化保护层，覆盖该源极、该防蚀导电层及该图案化半导体层，该图案化保护层具有一接触窗露出该防蚀导电层的一部分；以及

一透明导电层，位于该图案化保护层上，且该透明导电层经由该接触窗接触该防蚀导电层的该部分。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：其中该防蚀导电层与该汲极具有大致相同的一图案，且该汲极包含钼。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：其中该防蚀导电层为含氧化铟锡或氧化铟锌。

4.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包含：

一基材；

一闸极及一闸线垫，位于该基材上；

一第一防蚀导电层位于该闸线垫的上表面；

一闸介电层，覆盖该闸极及该第一防蚀导电层，其中该闸介电层具有一第一开口露出该第一防蚀导电层的一部分；

一图案化半导体层，位于该闸介电层上；

一源极及一汲极，位于该图案化半导体层上；

一第二防蚀导电层位于该汲极的上表面；

一图案化保护层，覆盖该源极、该第二防蚀导电层、该图案化半导体层及该闸介电层，其中该图案化保护层具有一第一接触窗及一第二开口，该第一接触窗露出该第二防蚀导电层的一部分，该第二开口位于该第一开口上方，使该第一防蚀导电层的该部分露出；以及

一透明导电层，位于该图案化保护层上，且该透明导电层分别接触该第二防蚀导电层的该部分及该第一防蚀导电层的该部分。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：其中该第一防蚀导电层与该闸线垫具有相同的一图案，该第二防蚀导电层与该汲极具有相同的一图案，且该闸线垫及该汲极包含钼。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：其中该第一防蚀导电层及该第二防蚀导电层为氧化铟锡或氧化铟锌。

7.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：包含：

形成一闸极于一基材上；

形成一闸介电层覆盖该闸极；

形成一图案化半导体层于该闸介电层上；

依序沈积一金属层及一防蚀导电材料于该图案化半导体层及该闸介电层上；

图案化该防蚀导电材料及该金属层，以形成一源极、一汲极及一防蚀导电层，该防蚀导电层位于该汲极上；

形成一图案化保护层覆盖该源极、该防蚀导电层及该图案化半导体层，其中该图案化保护层具有一接触窗露出该汲极上方的防蚀导电层的一部分；以及

形成透明导电层于该图案化保护层上，且该透明导电层接触该防蚀导电层的该部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：其中该汲极包含钼。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：其中该防蚀导电层为氧化铟锡或氧化铟锌。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：图案化该防蚀导电材料及该金属层的步骤包含使用一草酸溶液蚀刻该防蚀导电材料。