[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

液晶显示器主要由薄膜晶体管基板、彩色滤光片基板及位于两基板间的液晶分子层所构成。薄膜晶体管基板上配置多个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管主要由闸极、闸介电层、源极、汲极及画素电极所组成。通常会在源极与汲极上设置保护层以保护下方的薄膜晶体管。保护层可经图案化制程而露出一部分的汲极。画素电极可设置于保护层上并与汲极电性连接。

在上述图案化保护层的制程中，通常需要使用蚀刻剂来蚀刻保护层。若蚀刻时间控制不当，则可能会破坏保护层下方的汲极，而会影响到汲极与其他材料层之间的电性连接。在更严重的情形中，可能造成薄膜晶体管失效。

因此，需要一种改良的薄膜晶体管及其制造方法，以期能改善上述问题。

发明内容

本发明的一态样是在提供一种薄膜晶体管，俾能有效改善习知技术中薄膜晶体管的汲极被不当蚀刻的问题。

根据本发明一实施方式，该薄膜晶体管设置在一基材上，包含有闸极、闸介电层、图案化半导体层、源极、汲极、防蚀导电层、图案化保护层与透明导电层。闸极位于基材上，闸介电层覆盖闸极，图案化半导体层位于闸介电层上，源极及汲极位于图案化半导体层上，防蚀导电层位于汲极的上表面。图案化保护层覆盖源极、防蚀导电层及图案化半导体层。图案化保护层具有接触窗，露出汲极上方的防蚀导电层的一部分。透明导电层位于图案化保护层上，且透明导电层经由接触窗接触防蚀导电层的该部分。

根据本发明一实施方式是在提供一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包含一基材、一闸极、一闸线垫、一第一防蚀导电层、一闸介电层、一图案化半导体层、一源极及一汲极、一第二防蚀导电层、一图案化保护层以及一透明导电层。闸极与门线垫位于基材上。第一防蚀导电层位于闸线垫的上表面。闸介电层覆盖闸极及第一防蚀导电层，且闸介电层具有一第一开口露出第一防蚀导电层的一部分。图案化半导体层位于闸介电层上。源极及汲极位于图案化半导体层上。第二防蚀导电层位于汲极的上表面。图案化保护层覆盖源极、第二防蚀导电层、图案化半导体层与门介电层。图案化保护层具有一第一接触窗及一第二开口，第一接触窗露出第二防蚀导电层的一部分，第二开口位于第一开口上方，使第一防蚀导电层的该部分暴露出。透明导电层位于图案化保护层上，且透明导电层分别接触第二防蚀导电层的露出部分及第一防蚀导电层的露出部分。

本发明的另一态样是在提供一种薄膜晶体管的制造方法。根据本发明一实施方式，该制造方法包含下列步骤：形成闸极于基材上；形成闸介电层覆盖闸极。形成图案化半导体层于闸介电层上；依序沈积金属层及防蚀导电材料于图案化半导体层与门介电层上；图案化防蚀导电材料及金属层，以形成源极、汲极及防蚀导电层；防蚀导电层位于汲极上；形成图案化保护层覆盖源极、防蚀导电层及图案化半导体层。图案化保护层具有接触窗，露出汲极上方的防蚀导电层的一部分。形成透明导电层于图案化保护层上，且透明导电层接触防蚀导电层的该部分。

根据本发明一实施方式，一种薄膜晶体管基板的制造方法包含下列步骤：依序沈积一第一金属层及一第一防蚀导电材料于基材上；图案化第一防蚀导电材料及第一金属层，以形成一闸极、一闸线垫及一第一防蚀导电层；第一防蚀导电层位于闸线垫上；形成一闸介电层覆盖闸极及第一防蚀导电层；形成一图案化半导体层于闸介电层上；依序沈积一第二金属层及一第二防蚀导电材料于图案化半导体层与门介电层上；图案化第二防蚀导电材料及第二金属层，以形成一源极、一汲极及一第二防蚀导电层；第二防蚀导电层位于汲极上；形成一保护层，覆盖源极、第二防蚀导电层、图案化半导体层与门介电层；形成一第一接触窗贯穿保护层，以露出第二防蚀导电层的一部分，以及形成一第二接触窗贯穿保护层以与门介电层，以露出第一防蚀导电层的一部分；然后，形成透明导电层于保护层上，其中透明导电层分别经由第一接触窗接触第二防蚀导电层的露出部分及经由第二接触窗接触第一防蚀导电层的露出部分。

由上述可知，本发明利用在汲极的上表面设置一层防蚀导电层，可在蚀刻保护层制程中，防止汲极被不当蚀刻。

附图说明

 为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下：

图1绘示本发明一实施方式的薄膜晶体管的制造方法的流程图。

图2A-2D是绘示依照本发明一实施方式的薄膜晶体管的制造方法的各制程阶段剖面示意图。

图3绘示本发明一实施方式的薄膜晶体管基板的制造方法的流程图。