[发明专利]一种半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210027752.8 | 申请日： | 2012-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103247724A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 郭磊;李园 | 申请（专利权）人： | 郭磊;李园 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构的形成方法以及半导体结构，该方法包括步骤：提供衬底；在衬底之上形成第一氮化物半导体层；刻蚀第一氮化物半导体层以形成多个开口；从开口对第一氮化物半导体层进行刻蚀以形成多个孔或槽，多个孔或槽延伸至衬底顶部表面或内部；通过对多个孔或槽对衬底进行腐蚀处理以使衬底顶部表面形成多孔结构；以及淀积氮化物半导体材料，通过在多个孔或槽中第一氮化物半导体层的暴露部分进行横向生长，填充多个孔或槽，其后继续外延生长，在第一氮化物半导体层之上形成第二氮化物半导体层。该方法能够降低半导体的位错密度，提高薄膜生长质量，有利于降低成本和后期衬底剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成第一氮化物半导体层；刻蚀所述第一氮化物半导体层以形成多个开口；从所述开口对所述第一氮化物半导体层进行刻蚀以形成多个孔或槽，所述多个孔或槽延伸至所述衬底顶部表面或内部；通过对所述多个孔或槽对所述衬底进行腐蚀处理以使所述衬底顶部表面形成多孔结构；以及淀积氮化物半导体材料，通过在所述多个孔或槽中所述第一氮化物半导体层的暴露部分进行横向生长，填充所述多个孔或槽，其后继续外延生长，在所述第一氮化物半导体层之上形成第二氮化物半导体层。
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