[发明专利]DRAM结构及其制造方法与IC结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210026396.8 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN102790055A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 刘豪杰;拉斯·汉涅克;江秉洁 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有埋入式字元线的DRAM结构及其制造方法与IC结构及其制造方法，其包括半导体基板、埋入于基板中并以第一闸介电层与基板相隔的记忆胞用字元线，以及埋入于基板中并以第二闸介电层与基板相隔的隔离字元线。记忆胞用字元线的顶面与隔离字元线的顶面低于基板的顶面。隔离字元线的底面低于记忆胞用字元线的底面。 | ||
| 搜索关键词： | dram 结构 及其 制造 方法 ic | ||
【主权项】：
一种具有埋入式字元线的DRAM结构，其特征在于，包括：一半导体基板；多条记忆胞用字元线，埋入于该基板中，并以第一闸介电层与该基板相隔；以及多条隔离字元线，埋入于该基板中，并以第二闸介电层与该基板相隔，其中，该些记忆胞用字元线的顶面与该些隔离字元线的顶面低于该基板的顶面，且该些隔离字元线的底面低于该些记忆胞用字元线的底面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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