[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201210026318.8 申请日: 2012-02-07
公开(公告)号: CN102637653A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 斯拉沃·基钦;尼古拉·舒尔茨;穆纳福·拉希莫;拉斐尔·施内尔 申请(专利权)人: ABB研究有限公司
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 康建峰;陈炜
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要: 发明涉及一种半导体器件(1)。为了获得具有高效冷却的小而简单的半导体器件,第一导电冷却元件(2)与半导体元件(4)的第一电极(8)相接触以转移来自于所述半导体元件(4)的热负荷并使所述半导体元件的第一电极(8)电连接至外部设备。第二导电冷却元件(3)与所述半导体元件(4)的第二电极(13)相接触以转移来自于所述半导体元件(4)的热负荷并使所述半导体元件(4)的第二电极电连接至外部设备。所述半导体器件(1)包括与所述半导体元件(4)的栅极电连接以从外部控制所述半导体元件的状态的接口(12)。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件(1),包括:半导体元件(4);以及用于冷却所述半导体元件(4)的冷却装置,其特征在于,所述半导体元件(4)是包括第一电极(8)和第二电极(13)的逆导型半导体开关,所述第一电极(8)和所述第二电极(13)布置在所述半导体元件的相反面上;所述冷却装置包括第一冷却元件(2),所述第一冷却元件(2)与所述半导体元件(4)的第一电极(8)相接触以将来自于所述半导体元件(4)的热负荷转移至所述第一冷却元件(2),所述第一冷却元件(2)由导电材料制成以使所述半导体元件的所述第一电极(8)电连接至外部设备;所述冷却装置还包括第二冷却元件(3,3′),所述第二冷却元件(3,3′)与所述半导体元件(4)的所述第二电极(13)相接触以将来自于所述半导体元件(4)的热负荷转移至所述第二冷却元件(3,3′),所述第二冷却元件(3,3′)由导电材料制成以使所述半导体元件(4)的所述第二电极电连接至外部设备;以及所述半导体器件(1)包括电连接至所述半导体元件(4)的栅极以控制所述半导体元件的状态的接口(12)。
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