[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201210026318.8 申请日: 2012-02-07
公开(公告)号: CN102637653A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 斯拉沃·基钦;尼古拉·舒尔茨;穆纳福·拉希莫;拉斐尔·施内尔 申请(专利权)人: ABB研究有限公司
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 康建峰;陈炜
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件(1),包括:

半导体元件(4);以及

用于冷却所述半导体元件(4)的冷却装置,其特征在于,

所述半导体元件(4)是包括第一电极(8)和第二电极(13)的逆导型半导体开关,所述第一电极(8)和所述第二电极(13)布置在所述半导体元件的相反面上;

所述冷却装置包括第一冷却元件(2),所述第一冷却元件(2)与所述半导体元件(4)的第一电极(8)相接触以将来自于所述半导体元件(4)的热负荷转移至所述第一冷却元件(2),所述第一冷却元件(2)由导电材料制成以使所述半导体元件的所述第一电极(8)电连接至外部设备;

所述冷却装置还包括第二冷却元件(3,3′),所述第二冷却元件(3,3′)与所述半导体元件(4)的所述第二电极(13)相接触以将来自于所述半导体元件(4)的热负荷转移至所述第二冷却元件(3,3′),所述第二冷却元件(3,3′)由导电材料制成以使所述半导体元件(4)的所述第二电极电连接至外部设备;以及

所述半导体器件(1)包括电连接至所述半导体元件(4)的栅极以控制所述半导体元件的状态的接口(12)。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,

所述接口(12)包括从所述半导体器件(1)突出的导体;以及

所述接口(12)通过布置在所述第一冷却元件(2)或所述第二冷却元件(3,3′)的内表面(5)上的导电路径(9)连接至所述半导体元件的栅极,所述导电路径(9)通过电绝缘材料层(10)与所述内表面(5)分离开。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述接口(12)通过金属化的陶瓷结构或通过包括所述导电路径(9)以及所述电绝缘材料层(10)在内的印刷电路板连接至所述半导体元件(4)的栅极。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述导电路径(9)中的至少一路电连接至所述第一冷却元件(2)。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述导电路径(9)中的至少一路电连接至所述第二冷却元件(3,3′)。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,位于所述第一和第二冷却元件(2,3,3′)之间的空间至少部分地填充有电隔离材料(17)。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第一电极(8)通过导电材料被键合到所述第一冷却元件(2),以及所述第二电极(13)通过导电材料被键合到所述第二冷却元件(3,3′)。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述半导体元件(4)为RC-IGBT或BiGT。

9.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,用于容置装配螺钉的孔(16)延伸穿过所述半导体器件。

10.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第一和第二冷却元件(2,3,3′)具有不同的尺寸或形状,或者所述第一或第二冷却元件(2,3,3′)中的至少一个设置有用于提供到所述半导体器件内的内部布线(11)的位置的访问的开口(18)。

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