[发明专利]球强度改进的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201210025465.3 | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103094137A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 于宗源;陈宪伟;陈英儒;梁世纬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在一种改进半导体器件的球强度的方法中，接收将形成为半导体器件的电连接件的多个连接球的球图案。该图案包括相互交叉的多列和多行。球布置在列和行的交叉点处。球图案的区域中的球布置被修改，使得该区域不包括孤立球。本发明还提供了一种球强度改进的方法以及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 强度 改进 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种改进半导体器件的球强度的方法，所述方法包括：接收将形成为所述半导体器件的电连接件的多个连接球的球图案，所述图案包括相互交叉的多列和多行，将所述球布置在所述列和所述行的交叉点处；以及修改所述球图案的区域中的球的布置方式，使得所述区域不包括孤立球。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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