[发明专利]球强度改进的方法以及半导体器件

说明书

技术领域

本公开涉及球强度改进的方法以及半导体器件。

背景技术

最小化集成电路(IC或芯片)的近期趋势导致多种类型的IC封装，诸如，芯片级封装(CSP)。

例如，在引线接合的CSP中，芯片通过接合引线电连接至下层衬底。这样的配置要求尺寸在高度方面增加以容纳引线回路，并且要求尺寸在宽度和/或长度方面增加以容纳引线接合焊盘。为了进一步减小封装尺寸，提出了倒装芯片CSP。

在倒装芯片CSP中，芯片不通过引线而是通过焊料凸块电连接至下层衬底。

在倒装芯片CSP中，如果在芯片和衬底之间存在热膨胀系数(CTE)的不匹配，例如，如果衬底的CTE大于芯片的CTE，则当温度降低(例如，在回流焊接处理之后)时，衬底以比芯片更大的速率收缩。结果，CSP发生翘曲，这转而导致了产品可靠性和/或产品收得率问题。

为了防止翘曲，已经提出在芯片和衬底之间添加底部填充材料，以将芯片“锁定”至衬底。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种改进半导体器件的球强度的方法，所述方法包括：接收将形成为所述半导体器件的电连接件的多个连接球的球图案，所述图案包括相互交叉的多列和多行，将所述球布置在所述列和所述行的交叉点处；以及修改所述球图案的区域中的球的布置方式，使得所述区域不包括孤立球。

在该方法中，所述孤立球在同一列或同一行中不具有或者仅具有一个紧邻所述孤立球的相邻球。

在该方法中，所述修改包括：将所述区域中的至少一个球移动到空交叉点，使得所述区域中的每个球都具有至少两个所述相邻球。

在该方法中，所述修改包括：将球添加至所述区域中的空交叉点，使得所述区域中的每个球都具有至少两个所述相邻球。

在该方法中，所添加的球是没有限定出所述半导体器件的电连接件的伪球。

在该方法中，所述修改包括：将没有限定出所述半导体器件的电连接件的伪球设置在所述区域中的每个空交叉点上。

在该方法中，所述区域是所述球图案的全部区域。

在该方法中，所述区域包括所述球图案的角部区域。

在该方法中，所述区域包括所述球图案的所有角部区域。

在该方法中，还包括：制造具有在所述修改之后所获得的所述球图案的所述半导体器件。

根据本发明的另一方面，提供了一种改进半导体器件的球强度的方法，所述方法包括：接收将形成为所述半导体器件的多个连接球的球图案，所述图案包括相互交叉的多列和多行，将所述球布置在所述列和所述行的一些而不是所有交叉点处；在所述多个球中标识出至少一个孤立球，其中，所述孤立球在同一列或同一行中具有至多一个紧邻所述孤立球的相邻球；以及通过将一个或多个球中的每一个添加至邻近所述孤立球的空交叉点来修改所述球图案，使得所述孤立球具有两个或更多相邻球。

在该方法中，所述孤立球是所述球图案的角部球。

在该方法中，执行所述修改，以确保修改后的球图案的每个角部球都具有两个相邻球。

在该方法中，所述孤立球位于所述球图案的角部区域中，以及执行所述修改，以确保修改后的球图案的所述角部区域中的每个球都具有两个或更多相邻球。

在该方法中，执行所述修改，以确保修改后的球图案的每个角部区域中的每个球都具有两个或更多相邻球。

在该方法中，仅对所述球图案的所有角部区域执行所述修改，并且确保所述修改后的球图案的每个角部区域中的每个球都具有两个或更多相邻球。

在该方法中，执行所述修改，以确保修改后的球图案中的每个球都具有两个或更多相邻球，其中，所述修改后的球图案包括所述一个或多个添加的球。

根据本发明的又一方面，一种具有改进的球强度的半导体器件，所述半导体器件包括：芯片，具有有源表面；多个连接球，位于所述有源表面上，并且与所述芯片电连接，所述连接球被布置在相互交叉的多列和多行中的一些但不是所有交叉点处；以及多个伪球，位于所述有源表面上，但不与所述芯片电连接，所述伪球被布置在未布置所述连接球的交叉点处；其中，至少位于所述芯片的角部区域中，每个所述连接球或每个所述伪球都具有至少两个相邻的连接球或伪球。

在该半导体器件中，位于所述芯片的所述角部区域之一以外的至少一个连接球具有不多于一个相邻连接球。